[发明专利]用于机器学习辅助的光学邻近误差校正的训练方法有效
| 申请号: | 201880058150.4 | 申请日: | 2018-09-05 |
| 公开(公告)号: | CN111051993B | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
| 发明(设计)人: | 苏静;卢彦文;罗亚 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F1/36;G06F30/392;G06N20/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王益 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 机器 学习 辅助 光学 邻近 误差 校正 训练 方法 | ||
一种方法包括:获得用于训练设计图案(5000)的在空间上移位版本的光学邻近校正;和使用关于所述训练设计图案的在空间上移位版本的数据(5051;5053)以及基于用于所述训练设计图案的在空间上移位版本的光学邻近校正的数据(5041;5043)来训练机器学习模型(5200),所述机器学习模型配置成针对设计图案预测光学邻近校正。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年9月8日提交的美国申请62/556,246和2018年8月31日提交的美国申请62/725,734的优先权,该申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本文的描述涉及光刻设备和过程,且更特别地涉及用于对设计布局进行光学邻近误差校正的工具和方法。
背景技术
光刻设备可以用于例如集成电路(IC)或其它器件的制造中。在这种情况下,图案形成装置(例如,掩模)可以包括或提供与器件的单层对应的图案(“设计布局”),并且此图案可以通过诸如穿过所述图案形成装置上的所述图案来照射已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或更多个管芯)的方法,被转印到所述目标部分上。一般而言,单个衬底包括由所述光刻设备以一次一个目标部分的方式连续地将所述图案转印到其上的多个相邻目标部分。在一种类型的光刻设备中,整个图案形成装置上的图案被一次转印到一个目标部分上;这样的设备通常称作为步进器。在一种替代的设备(通常称为步进扫描设备)中,投影束沿给定的参考方向(“扫描”方向)在图案形成装置之上扫描,同时沿与所述参考方向平行或反向平行的方向同步地移动所述衬底。所述图案形成装置上的图案的不同部分被逐渐地转印到一个目标部分上。因为通常所述光刻设备将具有放大因数M(通常<1),所以所述衬底被移动的速度F将是所述投影束扫描所述图案形成装置的速度的M倍。
在器件制造过程中的将图案从所述图案形成装置转印至所述衬底的器件制作工序之前,所述衬底可能经历所述器件制造过程的各种器件制作工序,诸如涂底料、抗蚀剂涂覆以及软焙烤。在曝光之后,所述衬底可能经受器件制造过程的其它器件制作工序,诸如曝光后焙烤(PEB)、显影、和硬焙烤。这一系列的器件制作工序被用作为制造器件(例如IC)的单个层的基础。所述衬底之后可能经历器件制造过程的各种器件制作工序,诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等,所有的这些工序都旨在最终完成所述器件的单个层。如果器件需要多个层,则针对每一层重复整个过程或其变形。最终,器件将存在于所述衬底上的每一目标部分中。如果存在多个器件,则之后通过诸如切片或锯割等技术,使这些器件彼此分离,据此单个的器件能够安装在载体上,连接至引脚,等等。
因此,制造器件(诸如半导体器件)典型地涉及使用多个制作过程来处理衬底(例如,半导体晶片),以形成所述器件的各种特征和多个层。这些层和特征典型地使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光、和离子注入来制造和处理。可以在衬底上的多个管芯上制作多个器件,之后将它们分离成单独的器件。这种器件制造过程可被认为是图案化过程。图案化过程涉及图案化步骤,诸如使用光刻设备的光学和/或纳米压印光刻术,以将图案提供到衬底上,而且图案化过程典型地但可选地涉及一个或更多个相关的图案处理步骤,诸如通过显影设备进行抗蚀剂显影、使用焙烤工具来焙烤所述衬底、使用蚀刻设备来蚀刻所述图案等。而且,所述图案化过程典型地涉及一个或更多个量测过程。
发明内容
在实施例中,提供了一种方法,包括:获得训练数据集合,所述训练数据集合包括与训练设计图案的在空间上移位版本对应的光学邻近校正;和由硬件计算机系统使用关于所述训练设计图案的在空间上移位版本的数据和基于针对所述训练设计图案的在空间上移位版本的光学邻近校正的数据来训练机器学习模型,所述机器学习模型配置成针对设计图案预测光学邻近校正。
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