[发明专利]用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法

权利要求书

1.一种用于蚀刻具有包括氮化硅SiN及氧化硅的表面的衬底的组合物，其具有相对于所述氧化硅蚀刻所述SiN的选择性，所述蚀刻组合物包括：

按所述蚀刻组合物的总重量计，至少60重量％的量的浓磷酸，

六氟硅酸HFSA，及

氨基烷氧基硅烷。

2.根据权利要求1所述的组合物，其包括：

5到50,000百万分率ppm六氟硅酸HFSA，及

20到10,000ppm氨基烷氧基硅烷。

3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述氨基烷氧基硅烷具有下式：

Si(R1)(R2)(R3)(R4)

其中R1、R2、R3及R4中的每一者为烷基、烷基胺、烷氧基或羟基，R1、R2、R3及R4中的至少一者为烷氧基或羟基，且R1、R2、R3及R4中的至少一者为烷基胺。

4.根据权利要求3所述的组合物，其中R1、R2、R3及R4中的每一者为：

烷基胺，其具有下式：

-(CH₂)_xNW₂，其中x在1到12范围内，或

-(CH₂)_x1-NW-(CH₂)_x2-NW-…(CH₂)_xn-NW₂，其中W等于H或CH₃基团；x1、x2、…xn在1-12范围内，且n≤100，

烷氧基，其具有式-O(CH₂)_yCH₃，其中y在1到6范围内，

羟基，或

烷基，其具有式-(CH₂)_zCH₃，其中z在1到18范围内。

5.根据权利要求1所述的组合物，其进一步包括羧酸化合物。

6.根据权利要求5所述的组合物，其包括按所述组合物的总重量计0.01到10重量百分比的羧酸化合物。

7.根据权利要求1所述的组合物，其进一步包括烷基胺化合物。

8.根据权利要求7所述的组合物，其包括5到10,000ppm烷基胺化合物。

9.根据权利要求1所述的组合物，其进一步包括经溶解硅石或可溶含硅化合物。

10.根据权利要求9所述的组合物，其包括按所述组合物的总重量计5到10,000百万分率的经溶解硅石或可溶含硅化合物。

11.根据权利要求1所述的组合物，其进一步包括有机溶剂。

12.根据权利要求1所述的组合物，其进一步包括表面活性剂。

13.一种蚀刻具有包括氮化硅SiN及氧化硅的表面的衬底的方法，其具有相对于所述氧化硅蚀刻所述SiN的选择性，所述方法包括：

提供蚀刻组合物，其包括：

按所述蚀刻组合物的总重量计，至少60重量％的量的浓磷酸，

六氟硅酸HSFA，及

氨基烷氧基硅烷，

提供具有包含氮化硅及氧化硅的表面的衬底，及

使所述衬底与所述组合物在一定条件下接触以从所述表面去除SiN。