[发明专利]电压转换电路、固体摄像元件及电压转换电路的控制方法在审
| 申请号: | 201880057985.8 | 申请日: | 2018-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN111066248A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
| 发明(设计)人: | 佃恭范;冨田和寿 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;H04N5/369;H04N5/378 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电压 转换 电路 固体 摄像 元件 控制 方法 | ||
1.电压转换电路,包括:
转换晶体管,其被构造成:利用预定电流对输入信号的电位进行转换,并且将转换后的信号作为输出信号输出,其中所述输入信号的所述电位能够从相互不同的两个电位中的一个电位改变为另一电位;
电流源晶体管,其被构造成供应所述预定电流;以及
控制电路,其被构造成:在所述输入信号的所述电位改变为所述另一电位的情况下,所述控制电路停止所述预定电流的供应。
2.根据权利要求1所述的电压转换电路,其中,
所述输入信号是其电位从相互不同的两个电源电位中的较高电位改变为比所述两个电源电位低的基准电位的信号,并且
所述控制电路利用停止信号来停止所述预定电流的供应,所述停止信号具有所述两个电源电位中的较低电位。
3.根据权利要求2所述的电压转换电路,其中,
所述转换晶体管是nMOS晶体管,并且
所述电流源晶体管是具有比所述nMOS晶体管的击穿电压低的击穿电压的pMOS晶体管。
4.根据权利要求1所述的电压转换电路,其中,
所述电流源晶体管在初始状态下供应所述预定电流,并且
在接收到预定的复位信号的情况下,所述控制电路将所述电流源晶体管切换到所述初始状态。
5.根据权利要求1所述的电压转换电路,还包括:
使能控制晶体管,其被构造成:在接收到预定的使能信号的情况下,所述使能控制晶体管对所述转换晶体管进行操作。
6.根据权利要求1所述的电压转换电路,还包括:
电流控制晶体管,其被构造成将所述预定电流限制为小于预定值的值。
7.根据权利要求1所述的电压转换电路,还包括:
电容器,其插入在所述电流源晶体管的栅极与电源电位之间;
一对pMOS晶体管,它们以串联的方式连接在所述电流源晶体管的栅极与所述电源电位之间;以及
开关,其被构造成:在接收到预定的复位信号的情况下,所述开关将预定的偏置电位供应给所述电流源晶体管的栅极,
其中,所述一对pMOS晶体管中的一个晶体管的栅极接收所述复位信号,并且所述一对pMOS晶体管中的另一个晶体管的栅极连接到所述电流源晶体管与所述转换晶体管之间的连接节点。
8.固体摄像元件,包括:
比较器,其被构造成:将像素信号与预定的参考信号进行比较,并且基于比较结果生成输入信号,所述输入信号的电位能够从相互不同的两个电位中的一个电位改变为另一电位;
转换晶体管,其被构造成:利用预定电流对所述输入信号的所述电位进行转换,并且将转换后的信号作为输出信号输出;
电流源晶体管,其被构造成:在接收到预定的停止信号之前的期间内供应所述预定电流;以及
控制电路,其被构造成:在所述输入信号的所述电位改变为所述另一电位的情况下,所述控制电路停止所述预定电流的供应。
9.根据权利要求8所述的固体摄像元件,其中,
所述比较器设置在预定基板上,并且
所述转换晶体管、所述电流源晶体管和所述控制电路设置在与所述预定基板不同的基板上。
10.根据权利要求8所述的固体摄像元件,其中,
所述比较器和所述转换晶体管设置在预定基板上,并且
所述电流源晶体管和所述控制电路设置在与所述预定基板不同的基板上。
11.根据权利要求8所述的固体摄像元件,还包括:
像素电路,其被构造成产生所述像素信号,
其中,所述像素电路设置在预定基板上,并且
所述比较器、所述转换晶体管、所述电流源晶体管和所述控制电路设置在与所述预定基板不同的基板上。
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