[发明专利]用于电子器件的材料在审
申请号: | 201880057938.3 | 申请日: | 2018-09-05 |
公开(公告)号: | CN111051294A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 埃尔维拉·蒙特内格罗;特雷莎·穆希卡-费尔瑙德;弗洛里安·迈尔-弗莱格;弗兰克·福格斯 | 申请(专利权)人: | 默克专利有限公司 |
主分类号: | C07D333/76 | 分类号: | C07D333/76;C07D405/12;C07D209/86;C07D307/91;C07C211/54;C07C211/61;C09K11/06;H01L51/50 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王潜;郭国清 |
地址: | 德国达*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电子器件 材料 | ||
本申请涉及式(I)化合物、其制备方法以及其在电子器件中的用途。
本申请涉及根据以下定义的式(I)的含有选自氨基、桥连氨基和咔唑基的基团的芳族化合物。这些化合物适用于电子器件。
在本申请的上下文中,电子器件应理解为是指所谓的有机电子器件,其含有有机半导体材料作为功能材料。更具体地说,这些被理解为是指OLED(有机电致发光器件)。术语OLED被理解为是指具有一个或多个包含有机化合物的层并在施加电压时发光的电子器件。OLED的构造和功能的一般原理是本领域技术人员已知的。
在电子器件中,尤其是在OLED中,人们对改善性能数据(尤其是寿命、效率和工作电压)非常感兴趣。在这些方面,尚未找到任何完全令人满意的解决方案。
另外,还寻求具有高玻璃化转变温度、低结晶趋势和高折射率的材料,尤其是用于OLED的空穴传输层中的材料。
发光层和具有空穴传输功能的层对电子器件的性能数据有很大的影响。还正在寻求在这些层中使用的新型化合物,尤其是空穴传输化合物和可以用作发光层中的基质材料、尤其是用于磷光发光体的基质材料的化合物。
含有选自氨基、桥连氨基和咔唑基的基团的多种芳族化合物在现有技术中已知为电子器件中的空穴传输材料和/或基质材料。
然而,仍然需要适用于电子器件的替代化合物。还需要改进在电子器件中使用的性能数据,尤其是在寿命、工作电压和效率方面更是情况如此。
现已发现,来自上述结构类别的特定化合物非常适合用于电子器件,尤其是用于OLED,甚至更尤其用作空穴传输材料和用作磷光发光体的基质材料。所述化合物优选导致器件的高寿命、高效率和低工作电压。进一步优选地,所述化合物具有低结晶趋势、高玻璃化转变温度和高折射率。
所述化合物符合下式(I):
式(I),
其中出现的变量如下:
Z1在每种情况下相同或不同,并且选自CR1和CR3;
Ar1是具有6至20个芳族环原子并且可以被一个或多个R3基团取代的芳基,或具有5至20个芳族环原子并且可以被一个或多个R3基团取代的杂芳基;
X1在每种情况下相同或不同,并且是选自以下的二价基团:-C(R4)2-、-C(R4)2-C(R4)2-、-CR4=CR4-和-Si(R4)2-;
R1在每种情况下相同或不同,并且是式(N)的基团
式(N),
ArL选自具有6至40个芳族环原子并且可以被一个或多个R5基团取代的芳族环系,和具有5至40个芳族环原子并且可以被一个或多个R5基团取代的杂芳族环系;
Ar2在每种情况下相同或不同,并且选自具有6至40个芳族环原子并且可以被一个或多个R5基团取代的芳族环系,和具有5至40个芳族环原子并且可以被一个或多个R5基团取代的杂芳族环系;
E是单键或选自以下的二价基团:C(R5)2、Si(R5)2、N(R5)、O和S;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于默克专利有限公司,未经默克专利有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880057938.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:建筑砌块和用于组装建筑砌块的方法
- 下一篇:具有成型带背部的传动带