[发明专利]用于分析气体的方法和设备

权利要求书

1.一种用于分析气体的方法，其中，将含金属氧化物的敏感层(2)暴露在气体中，所述方法具有以下步骤：

在所述敏感层(2)具有第一温度期间，测量所述敏感层(2)的至少一个电阻值；将所述敏感层(2)的温度从所述第一温度降低到第二温度，其中，将所述敏感层(2)的温度对于预给定的时间段并且在所述预给定的时间段期间不进行测量地保持在所述第二温度；

将所述敏感层(2)的温度升高到第三温度；

在所述敏感层具有所述第三温度期间，测量所述敏感层(2)的至少一个电阻值；

根据在所述第一温度下的所测量的至少一个电阻值与在所述第三温度下的所述至少一个电阻值的比较来分析所述气体的成分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，求取所述电阻的时间变化过程，并且进一步根据所述电阻的时间变化过程执行对所述气体的成分的分析。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，根据所述电阻的时间变化过程，求取硫化合物的存在和/或浓度，和/或求取有机化合物的存在和/或浓度，和/或求取一氧化碳的存在和/或浓度。

4.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一温度与所述第三温度等大。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，与所述敏感层保持在所述第二温度的预给定的时间段相比和/或与所述敏感层(2)保持在所述第三温度的预给定的时间段相比，温度变化所需的时间是可忽略的。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在所述敏感层(2)的温度升高到所述第三温度之后的2毫秒与2秒之间的时间段中进行求取所述敏感层(2)的至少一个电阻值。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述第一温度和所述第三温度位于200℃与600℃之间，其中，所述第二温度位于10℃与200℃之间。

8.一种用于分析气体的设备(1)，所述设备具有：

含氧化物的敏感层(2)，所述敏感层能够暴露在气体中；

加热装置(3)，所述加热装置构造用于将所述敏感层(2)的温度从第一温度降低到第二温度，将所述敏感层(2)的温度对于预给定的时间段保持在所述第二温度，并且接下来将所述敏感层(2)的温度升高到第三温度；

测量装置(4)，所述测量装置构造用于在所述敏感层(2)具有所述第一温度期间测量所述敏感层(2)的至少一个电阻值，并且在所述敏感层(2)具有所述第三温度期间测量所述敏感层(2)的至少一个电阻值，并且在所述敏感层(2)具有所述第二温度期间不进行测量；

分析装置(5)，所述分析装置构造用于根据在所述第一温度下的所测量的至少一个电阻值与在所述第三温度下的所述至少一个电阻值的比较来分析所述气体的成分。