[发明专利]雪崩光电二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种制造雪崩光电二极管的方法，所述雪崩光电二极管包括：

p型半导体层，形成在转移衬底上并由p型半导体制成；

光吸收层，形成在所述p型半导体层上并由锗制成；

电场控制层，形成在所述光吸收层上并由p型半导体制成；

倍增层，形成在所述电场控制层上并由硅制成；以及

n型半导体层，形成在所述倍增层上并由n型硅制成，

所述方法包括：

第一步骤：在生长衬底上形成所述n型半导体层、所述倍增层、所述电场控制层和所述光吸收层；

第二步骤：将在所述生长衬底上形成的所述n型半导体层、所述倍增层、所述电场控制层和所述光吸收层转移到所述转移衬底上；以及

第三步骤：在将所述n型半导体层、所述倍增层、所述电场控制层和所述光吸收层转移到所述转移衬底上之后，将所述n型半导体层加工为具有比所述倍增层的面积小的面积。

2.根据权利要求1所述的制造雪崩光电二极管的方法，其中

所述第一步骤包括在所述生长衬底上依次形成所述n型半导体层、所述倍增层、所述电场控制层、所述光吸收层和所述p型半导体层，并且

所述第二步骤包括：

通过将所述p型半导体层粘合在所述转移衬底上，将在所述生长衬底上形成的所述n型半导体层、所述倍增层、所述电场控制层和所述光吸收层转移到所述转移衬底上的步骤；以及

在将所述p型半导体层粘合在所述转移衬底上之后去除所述生长衬底的步骤。

3.根据权利要求1所述的制造雪崩光电二极管的方法，其中

所述第一步骤包括：

在所述生长衬底上依次形成所述n型半导体层、所述倍增层、所述电场控制层和所述光吸收层的步骤；以及

在所述转移衬底上形成所述p型半导体层的步骤，并且

所述第二步骤包括：

通过将所述p型半导体层粘合在所述光吸收层上，将在所述生长衬底上形成的所述n型半导体层、所述倍增层、所述电场控制层和所述光吸收层转移到所述转移衬底上的步骤；以及

在将所述p型半导体层粘合在所述光吸收层上之后去除所述生长衬底的步骤。

4.根据权利要求1所述的制造雪崩光电二极管的方法，还包括第四步骤：将所述n型半导体层加工为具有比所述倍增层的面积小的面积，并且在此之后在所述倍增层上在所述n型半导体层周围形成绝缘层。

5.根据权利要求1所述的制造雪崩光电二极管的方法，还包括在所述光吸收层的面向所述p型半导体层的侧面上形成p型区域的步骤。

6.根据权利要求1所述的制造雪崩光电二极管的方法，其中，所述第二步骤包括：

在所述转移衬底上形成金属层的步骤；以及

将在所述生长衬底上形成的所述n型半导体层、所述倍增层、所述电场控制层和所述光吸收层转移到其上形成有所述金属层的所述转移衬底上的步骤。

7.一种雪崩光电二极管，包括：

p型半导体层，形成在衬底上并由p型半导体制成；

光吸收层，形成在所述p型半导体层上并由锗制成；

电场控制层，形成在所述光吸收层上并由p型半导体制成；

倍增层，形成在所述电场控制层上并由硅制成；

n型半导体层，形成在所述倍增层上，由n型硅制成，并且具有比所述倍增层的面积小的面积；以及

绝缘层，所述绝缘层在所述倍增层的与所述n型半导体层接触的面上仅在所述n型半导体层周围的区域中形成。

8.根据权利要求7所述的雪崩光电二极管，其中所述光吸收层包括在所述p型半导体层的一侧上的p型区域。

9.根据权利要求7所述的雪崩光电二极管，还包括在所述衬底与所述p型半导体层之间形成的金属层。