[发明专利]集成电路处理方法和设备

说明书

本发明涉及在特定位置处选择性地改变柔性基板与载体之间的粘合强度以便于运输和随后的从所述载体去除所述柔性基板的方法和设备，所述方法包括以下步骤：提供包括多个集成电路的柔性基板；提供用于所述柔性基板的载体，并且通过在所述柔性基板与所述载体之间创建界面将所述柔性基板粘附到所述载体；利用电磁辐射源(例如，激光、闪光灯、大功率LED、红外线辐射源等)，通过对所述柔性基板与所述载体之间的所述界面进行非均匀处理，在选定位置处改变所述柔性基板与所述载体之间的粘合力，从而在所述选定位置处减小或增加所述柔性基板的一部分与所述载体之间的粘合力。

本发明涉及用于制造和处理集成电路(IC)的方法和设备。具体地，尽管非排他性地，但是本发明涉及用于在特定位置处选择性地改变柔性基板与载体之间的粘合强度以便于运输和随后从载体去除柔性基板的方法和设备。

背景技术

当前的晶片集成技术涉及将晶片(通常地，结晶硅)放置在较大晶片框架上的粘合膜上。在拉力下将晶片放置到集成机器中之前，晶片被切成小块，以在相邻裸片之间创建空间。然后在所得的集成电路(IC)的处理期间，可以从粘合膜上拾取单个裸片或从粘合膜上移出单个裸片，并且或者在电子电路的形成期间，单个裸片被直接放置到具有相应的接触垫的第一支撑件上，或者如果需要翻转方向，则在放置到具有相应的接触垫的所述支撑件上之前，单个裸片被放置在第二拾取工具上。

在使用与硅晶片相反的柔性塑料基板的过程中，在将塑料基板转移到粘合膜之前，可以利用从支撑柔性塑料基板的初始载体(例如，玻璃、聚碳酸酯或石英)剥离过程的附加步骤来完成相同的过程。从玻璃载体上去除的过程形成小块的柔性IC的阵列，其格式具有足够的粘合以在玻璃载体上运输和处理，同时在随后的处理期间还允许真空头从粘合膜去除各个柔性IC。

用于其上放有电子器件(例如，集成电路)的柔性塑料基板从载体(例如，玻璃、聚碳酸酯或石英)的剥离过程通常涉及利用电磁辐射源(例如，激光、闪光灯、大功率LED、红外线辐射源等)从载体的背面进行处理。该机制将取决于电磁辐射源是主要引起光子烧蚀(通过吸收)还是加热过程(例如，放热)。可选地，可以在载体与柔性塑料基板之间采用粘合材料/剥离材料。激光以固定的离散间隔扫描整个表面。激光通过局部烧蚀基板的薄层或降低粘结强度来改变柔性塑料基板(例如，膜)与玻璃载体之间的界面。已经证明，利用较窄的过程窗来控制激光实现均匀方式的平衡剥离是困难的。

本发明试图避免在柔性塑料基板从玻璃载体转移到粘合膜的步骤中所涉及的附加处理以及相关的制造成本。

需要平衡粘合强度，从而满足两个条件：足以防止在运输和处理期间丢失IC的条件，足够低以允许拾取头从载体(例如，刚性或柔性)移除IC裸片的条件。

本发明为现有技术的晶片集成技术提供了至少一种可选择的方案。

发明内容

根据本发明，提供一种在特定位置处选择性地改变柔性基板与载体之间的粘合强度以便于运输和随后的转移的方法，其中，所述柔性基板包括多个电子组件(集成电路(IC))，每个电子组件包括相应组端子，所述随后的转移包括将包括多个电子组件的所述柔性基板直接从所述载体转移到包括相应组接触垫(接触部)的相应第一部分上，所述方法包括以下步骤：

提供包括多个集成电路的柔性基板；

提供用于所述柔性基板的载体，并且通过在所述柔性基板与所述载体之间创建界面将所述柔性基板粘附到所述载体；

通过利用电磁辐射源(例如，激光、闪光灯、大功率LED、红外线辐射源、紫外线辐射源等)对所述柔性基板与所述载体之间的界面进行非均匀处理，在一个或多个选定位置处改变所述柔性基板与所述载体之间的粘合力，从而在所述一个或多个选定位置处减小或增加所述柔性基板的一部分与所述载体之间的粘合力。

在某些实施例中，所述载体是刚性的。更特别地，所述载体是玻璃、聚碳酸酯或石英。