[发明专利]铁电电容器、铁电场效应晶体管以及用于形成包括导电材料和铁电材料的电子装置的方法

权利要求书

1.一种用于形成包括导电材料和铁电材料的电子装置的方法，所述方法包括：

形成复合堆叠，所述复合堆叠包括多种含金属氧化物的绝缘体材料，所述含金属氧化物绝缘体材料中的至少一种在非铁电绝缘材料之间并且直接抵靠非铁电绝缘材料，所述多种含金属氧化物的绝缘体材料具有与紧邻的所述非铁电绝缘材料不同的组成；

使所述复合堆叠经受至少200℃的温度，在所述经受处理之后的所述复合堆叠包括多种含铁电金属氧化物的绝缘体材料，所述含铁电金属氧化物的绝缘体材料中的至少一种在非铁电绝缘材料之间并且直接抵靠非铁电绝缘材料，在所述经受处理之后的所述复合堆叠是铁电的；以及

形成与所述复合堆叠相邻的导电材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述经受处理是经受至少350℃的温度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述经受处理是经受不高于1,000℃的温度。

4.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述导电材料和所述复合堆叠形成为彼此直接抵靠。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述含铁电金属氧化物的绝缘体材料中的一种直接抵靠所述导电材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述复合堆叠中形成相对于彼此具有相同组成的所有所述多种含金属氧化物的绝缘体材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述复合堆叠中形成相对于彼此共同地具有至少两种不同的组成的所述多种含金属氧化物的绝缘体材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述复合堆叠中形成相对于彼此都具有相同组成的所述相应非铁电绝缘材料，所述相应非铁电绝缘材料直接抵靠所述含铁电金属氧化物的绝缘体材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述复合堆叠中形成相对于彼此具有至少两种不同组成的所述相应非铁电绝缘材料，所述相应非铁电绝缘材料直接抵靠所述含铁电金属氧化物的绝缘体材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述非铁电绝缘材料中的至少一种形成为连续层。

11.根据权利要求10所述的方法，其包括形成具有恒定厚度的所述连续层。

12.根据权利要求10所述的方法，其包括形成具有至少两种不同厚度的所述连续层。

13.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述非铁电绝缘材料形成为每个是连续层。

14.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述非铁电绝缘材料中的至少一种形成为不连续层，两个紧邻的所述含金属氧化物的绝缘体材料穿过所述不连续层彼此直接抵靠。

15.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述非铁电绝缘材料中的至少一种形成为包括SiO_x。

16.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述非铁电绝缘材料中的至少一种形成为包括C。

17.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述非铁电绝缘材料中的至少一种形成为包括至少一种金属氧化物。