[发明专利]附接在偏移引线框管芯附接焊盘和离散管芯附接焊盘之间的集成电路(IC)管芯

权利要求书

1.一种集成电路(IC)封装，所述集成电路(IC)封装包括：

引线框，所述引线框包括：

主引线框结构，所述主引线框结构包括多个引线，所述主引线框结构位于主引线框平面中；以及

偏移引线框管芯附接焊盘(DAP)，所述偏移引线框管芯附接焊盘位于从所述主引线框平面偏移的偏移平面中；

半导体管芯，所述半导体管芯具有附接到所述偏移引线框DAP的第一侧；以及

导电元件，所述导电元件附接到(a)所述半导体管芯的第二侧和(b)所述主引线框结构。

2.根据权利要求1所述的IC封装，其特征在于，所述导电元件至少部分地位于所述主引线框平面和所述偏移平面之间的区域中。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的IC封装，其特征在于，所述导电元件的表面与所述主引线框结构共面。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的IC封装，其特征在于，在垂直于所述主引线框平面的方向上，所述导电元件比所述主引线框结构更厚。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的IC封装，其特征在于，在垂直于所述主引线框平面的方向上，所述导电元件至少是所述主引线框结构的两倍厚。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的IC封装，其特征在于，所述导电元件包括金属散热块。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的IC封装，其特征在于：

所述偏移引线框DAP限定用于所述半导体管芯的源极引线；并且

所述导电元件限定用于所述半导体管芯的漏极引线。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的IC封装，其特征在于，所述IC封装包括功率MOSFET封装，并且所述半导体管芯包括MOSFET管芯。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的IC封装，其特征在于，所述主引线框结构还包括位于所述主引线框平面中的至少一个附加的管芯附接焊盘，用于接收至少一个附加的半导体管芯或器件。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的IC封装，其特征在于，所述引线框还包括微控制器管芯附接焊盘(DAP)；并且

所述IC封装包括微控制器，所述微控制器安装到所述微控制器DAP。

11.根据权利要求10所述的IC封装，其特征在于，所述微控制器DAP形成所述主引线框结构的位于所述主引线框平面中的一部分。

12.一种形成集成电路(IC)封装的方法，所述方法包括：

提供包括引线框的引线框，所述引线框包括：

主引线框结构，所述主引线框结构包括多个引线，所述主引线框结构位于主引线框平面中；以及

偏移引线框管芯附接焊盘(DAP)，所述偏移引线框管芯附接焊盘位于从所述主引线框平面偏移的偏移平面中；

将半导体管芯的第一侧附接到所述偏移引线框DAP；

将导电元件附接到所述半导体管芯的第二侧；以及

将所述导电元件附接到所述主引线框结构。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述IC封装包括功率MOSFET封装，并且所述半导体管芯包括MOSFET管芯。

14.根据权利要求12至13中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括在共同步骤中将所述导电元件附接到所述半导体管芯的所述第二侧并且附接到所述主引线框结构。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括通过弯曲或以其他方式重新塑形所述引线框来形成所述引线框，使得所述偏移引线框DAP位于所述偏移平面中。