[发明专利]使用剥离型ReBCO的超导接头

权利要求书

1.一种在ReBCO带之间形成超导接头的方法，所述方法包括：

提供两个以上各自具有暴露的ReBCO区域的ReBCO带；

提供桥，所述桥包括暴露的ReBCO层和在所述暴露的ReBCO层上的透氧性衬垫；

通过在其中氧的分压足够低以使得所述ReBCO的最低接合温度(T_R)小于银的熔点(T_Ag)的环境中加热至第一温度(T1)而将每个暴露的ReBCO区域与所述桥的所述暴露的ReBCO层结合，所述温度(T1)在所述ReBCO的最低接合温度(T_J)和银的熔点(T_Ag)之间，(T_JT1T_Ag)；

在其中氧的分压足以使所述ReBCO在第二温度(T2)再氧合的环境中，将所得到的接头在所述第二温度(T2)退火一段时间(t)，所述第二温度(T2)小于低于ReBCO的正交晶系向四方晶系的相变温度(T_R)(T2T_R)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述暴露的ReBCO层是织构ReBCO层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中提供所述桥包括：

提供具有基底、缓冲堆叠体、ReBCO层和银层的ReBCO带；

从所述ReBCO带移除所述基底和缓冲堆叠体。

4.根据任一项前述权利要求所述的方法，其中提供所述两个以上各自具有暴露的ReBCO区域的ReBCO带包括：对于所述ReBCO带中的至少一个来说，从所述ReBCO带化学移除银层，从而形成所述暴露的ReBCO区域。

5.一种在ReBCO带之间形成超导接头的方法，其中所述ReBCO带中的至少一个为包括ReBCO层的剥离型ReBCO带，所述ReBCO层与在所述ReBCO层的每侧的相应银层结合，所述方法包括：

从每个ReBCO带上要接合的区域化学移除所述银层，从而在每个带上产生暴露的ReBCO区域；

通过在其中氧的分压足够低以使得所述ReBCO的最低接合温度(T_J)小于银的熔点(T_Ag)的环境中加热至第一温度(T1)而将所述暴露的ReBCO区域彼此结合，所述温度(T1)在所述ReBCO的最低接合温度(T_J)和银的熔点(T_Ag)之间，(T_JT1T_Ag)；

在其中氧的分压足以使所述ReBCO在第二温度(T2)再氧合的环境中，将所得到的接头在所述第二温度(T2)退火一段时间(t)，所述第二温度(T2)小于ReBCO的正交晶系向四方晶系的相变温度(T_R)(T2T_R)。

6.根据任一项前述权利要求所述的方法，其中所述时间(t)小于5小时，更优选小于1小时。

7.根据任一项前述权利要求所述的方法，其中富氧环境是纯氧环境。

8.一种超导载流体，所述超导载流体包括通过接头连接的两个ReBCO带，所述接头包括桥，所述桥包括暴露的ReBCO层和在所述暴露的ReBCO层上的透氧性衬垫，其中所述暴露的ReBCO层与所述带中的每一个的ReBCO层结合。

9.一种超导载流体，所述超导载流体包括通过接头连接的两个ReBCO带，其中所述ReBCO带中的至少一个为包括ReBCO层的剥离型ReBCO带，所述ReBCO层与在所述ReBCO层的每侧的相应银层结合，并且其中每个带的所述ReBCO层在所述接头处结合。

10.一种场线圈，所述场线圈包括根据权利要求8或9所述的超导载流体。