[发明专利]用于在直流变压器的输入回路中衰减由电源电压感应的振荡的电路和方法

权利要求书

1.一种电路，所述电路包括：

直流变压器；和

位于所述直流变压器上游的输入回路(34)，所述输入回路具有用于连接到电压源上的第一接头(14)和第二接头(16)并且具有用于连接到所述直流变压器上的第三接头(18)和第四接头(20)；

其中所述输入回路(34)在所述第一接头(14)和所述第三接头(18)之间具有半导体元件(22)，其中所述半导体元件(22)的第一结构元件接头(22c)至少通过第一电容(36)和第二电容(38)连接到所述半导体元件(22)的第二结构元件接头(22a)上，其中通过在所述第一结构元件接头(22c)和所述第二结构元件接头(22a)之间的电压能够控制所述半导体元件(22)的电阻。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述半导体元件(22)构造为场效应晶体管，即FET，并且优选地构造为反极性保护半导体开关。

3.根据权利要求2所述的电路，其中，所述FET(22)的栅极接头(22c)连接到所述第一电容(36)的第一结构元件接头上并且通过与所述第一电容(36)并联的分压器电路(24)的电阻(R₁)与所述FET(22)的源极接头(22a)连接；

所述第一电容(36)的第二结构元件接头和所述第二电容(38)的第二结构元件接头连接在所述第二接头上；并且

所述FET(22)的源极接头连接到所述第二电容(38)的所述第一结构元件接头上。

4.根据权利要求2或3所述的电路，其中所述FET(22)构造为金属氧化物半导体场效应晶体管，即MOSFET。

5.一种系统，所述系统包括：

根据权利要求1至4中任一项所述的电路；和

浪涌电压发生器(10)，所述浪涌电压发生器具有去耦电感；其中

所述第一接头(14)连接在所述浪涌电压发生器(10)的第一极上并且所述第二接头(16)连接在所述浪涌电压发生器(10)的第二极上。

6.根据权利要求5所述的系统，其中所述第一电容(36)和所述第二电容(38)构造成使得通过将电压施加到所述直流变压器上而产生的振荡在包含所述去耦电感的振荡回路中通过与电压波动相关地提高所述半导体元件(22)的所述电阻衰减，其中所述衰减设计成，避免所述直流变压器的欠压关断和/或在输入保护二极管上的过载。

7.一种用于检测电路针对所述浪涌电压的稳健性的方法，所述方法包括：

将电压(28)加载(46)到所述电路的输入回路(34)上，其中所述输入回路(34)具有所述半导体元件(22)；并且

衰减(48)通过在所述输入回路(34)中加载所述电压(28)而产生的振荡，所述振荡在所述输入回路(34)中导致电压波动；

其中所述衰减包括受电压波动控制地提高所述半导体元件(22)的所述电阻。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述半导体元件(22)构造为场效应晶体管、即FET，并且优选地构造为反极性保护半导体开关。

9.根据权利要求8所述的方法，其中受电压波动控制地提高所述电阻包括与电压波动有关地降低施加在FET(22)上的栅极源极电压。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述FET(22)的漏极接头(22b)连接到电压源的第一极上；并且

所述FET(22)的栅极接头(22c)通过电容(36)与所述电压源的第二极连接；

其中通过经由所述电阻(R₁)给所述电容(36)放电导致在时间上加速栅极电位(42)的降低。