[发明专利]电荷俘获评价方法以及半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件的电荷俘获评价方法，所述半导体元件具有横型结构，具备基板、所述基板上的半导体层以及与所述半导体层连接的源电极及漏电极，所述电荷俘获评价方法包括以下步骤：

在所述半导体元件的所述源电极及所述漏电极与所述基板之间施加符号与阈值电压的符号相同且大小为所述阈值电压的大小以上的初始化电压，从陷阱能级中逐出已被俘获的电荷，来使俘获状态初始化；以及

在所述俘获状态的初始化后，对在所述源电极与所述漏电极之间流动的电流进行监视，并对电荷捕获、电流崩塌及电荷放出中的至少一个进行评价，

其中，所述阈值电压为施加至源电极及漏电极与基板之间的电压，且为在所述源电极与所述漏电极之间施加有电压时通道电流的接通和切断进行切换的电压。

2.根据权利要求1所述的电荷俘获评价方法，其中，

对所述电荷捕获进行评价的步骤是如下的步骤：在所述俘获状态的初始化后，对将所述源电极及所述漏电极与所述基板之间的电压从所述初始化电压变为符号与所述阈值电压的符号相同且大小为所述阈值电压的大小以下的应力电压时的电荷捕获进行评价。

3.根据权利要求2所述的电荷俘获评价方法，其中，

对所述电流崩塌进行评价的步骤是如下的步骤：在所述电荷捕获的评价后，将所述源电极及所述漏电极与所述基板之间的电压从所述应力电压变为0V，并求出紧接在所述电压变为0V后的电流值与经过固定时间后的饱和电流值之比，由此进行电流崩塌的评价。

4.根据权利要求3所述的电荷俘获评价方法，其中，

对所述电荷放出进行评价的步骤是如下的步骤：在所述电流崩塌的评价后，对将所述源电极及所述漏电极与所述基板之间的电压从0V变为所述应力电压时的电荷放出进行评价。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的电荷俘获评价方法，其中，

所述半导体元件包含带隙为2.5eV以上的半导体层。

6.一种半导体元件，具有横型结构，具备基板、所述基板上的半导体层以及与所述半导体层连接的源电极及漏电极，其中，

所述半导体元件通过在所述源电极及所述漏电极与所述基板之间施加符号与阈值电压的符号相同且大小为所述阈值电压的大小以上的电压，能够从陷阱能级中逐出已被俘获的电荷来使俘获状态初始化。

7.根据权利要求6所述的半导体元件，其中，

所述半导体层的带隙为2.5eV以上。