[发明专利]用于分析抗静电防污层形状的样品及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201880054876.0 申请日: 2018-12-04
公开(公告)号: CN111051845B 公开(公告)日: 2023-01-24
发明(设计)人: 李博儒;朴柄洙 申请(专利权)人: 株式会社LG化学
主分类号: G01N1/28 分类号: G01N1/28
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 李静;张云志
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 分析 抗静电 防污 形状 样品 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于分析抗静电防污层形状的样品,包括:

聚合物基底;

抗静电防污层,其形成于所述聚合物基底上并且包含导电聚合物;以及

Pt涂层,其直接形成于所述抗静电防污层上,

通过所述导电聚合物和Pt涂层中Pt金属之间的离子相互作用,所述抗静电防污层中所含的Pt含量在所述防污层的整个区域中以基本恒定的量分布,而与距所述Pt涂层的距离无关。

2.根据权利要求1所述的用于分析抗静电防污层形状的样品,其还包括在所述Pt涂层上的碳保护膜。

3.根据权利要求1所述的用于分析抗静电防污层形状的样品,其中,所述导电聚合物包含PEDOT:PSS。

4.根据权利要求1所述的用于分析抗静电防污层形状的样品,其中,所述抗静电防污层由含有含量为2重量%~20重量%的所述导电聚合物和含量为80重量%~98重量%的聚合物树脂粘合剂的组合物制备。

5.根据权利要求1所述的用于分析抗静电防污层形状的样品,其中,所述抗静电防污层的厚度为30nm~200nm。

6.根据权利要求1所述的用于分析抗静电防污层形状的样品,其中,所述Pt涂层的厚度为5nm~20nm。

7.一种用于分析抗静电防污层形状的样品的制造方法,包括:

在聚合物基底上形成包含导电聚合物的抗静电防污层;以及

在所述抗静电防污层上直接形成Pt涂层,

通过所述导电聚合物和Pt涂层中Pt金属之间的离子相互作用,所述抗静电防污层中所含的Pt含量在所述防污层的整个区域中以基本恒定的量分布,而与距所述Pt涂层的距离无关。

8.根据权利要求7所述的用于分析抗静电防污层形状的样品的制造方法,还包括在所述Pt涂层上形成碳保护膜。

9.一种分析抗静电防污层形状的方法,包括使用TEM对根据权利要求1~6中任一项所述的样品进行分析。

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