[发明专利]有机光电子元件

权利要求书

1.一种有机光电子元件，其具备：

基板、

设置在所述基板上的阳极、

与所述阳极相对的阴极、

配置在所述阳极与所述阴极之间的发光层、

配置在所述发光层与所述阳极之间的空穴输送层、以及

在所述发光层与所述空穴输送层之间接触所述发光层以及所述空穴输送层而设置的电子阻挡层，

所述空穴输送层包含含氟聚合物和有机半导体材料，在波长区域450nm～800nm下的折射率为1.60以下，

所述空穴输送层和所述电子阻挡层以不同的材料作为形成材料，

所述电子阻挡层的LUMO能级高于所述发光层的LUMO能级和所述空穴输送层的LUMO能级，

所述含氟聚合物在1×10^-3Pa的真空度中，300℃下的蒸发速度为0.01g/m²sec以上，

所述含氟聚合物的玻璃化转变温度为60℃以上，

所述含氟聚合物为在主链中不具有脂肪族环且具有源自氟烯烃的单元的聚合物、或在主链中具有脂肪族环结构的聚合物，

所述在主链中不具有脂肪族环且具有源自氟烯烃的单元的含氟聚合物为选自四氟乙烯-全氟(烷基乙烯基醚)共聚物、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物、四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)/六氟丙烯共聚物、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚偏二氟乙烯、聚氟乙烯、聚氯三氟乙烯、以及乙烯/氯三氟乙烯共聚物中的至少任一种，

所述含氟聚合物的重均分子量Mw为1500～50000，所述含氟聚合物的多分散度Mw/Mn为2以下，其中Mn表示数均分子量。

2.根据权利要求1所述的有机光电子元件，其中，所述电子阻挡层的LUMO能级与所述发光层的LUMO能级的能量差大于所述空穴输送层的LUMO能级与所述电子阻挡层的LUMO能级的能量差。

3.根据权利要求1或2所述的有机光电子元件，其中，所述电子阻挡层的LUMO能级与所述发光层的LUMO能级的能量差大于0.5eV。

4.根据权利要求1或2所述的有机光电子元件，其中，所述电子阻挡层的膜厚为5nm～30nm。

5.根据权利要求1或2所述的有机光电子元件，其中，所述空穴输送层中的所述含氟聚合物的含量(A)与所述有机半导体材料的含量(B)的体积比(A)：(B)＝70：30～5：95。

6.根据权利要求1或2所述的有机光电子元件，其中，所述含氟聚合物在波长区域450nm～800nm下的折射率为1.50以下。

7.根据权利要求1或2所述的有机光电子元件，其中，所述含氟聚合物为在主链中具有脂肪族环结构的全氟聚合物。

8.根据权利要求7所述的有机光电子元件，其中，所述全氟聚合物为聚全氟(3-丁烯基乙烯基醚)。

9.根据权利要求8所述的有机光电子元件，其中，所述聚全氟(3-丁烯基乙烯基醚)的特性粘度为0.01～0.14dl/g。

10.根据权利要求1或2所述的有机光电子元件，其中，所述空穴输送层为物理蒸镀层。

11.根据权利要求1或2所述的有机光电子元件，其还具有配置在所述空穴输送层与所述阳极之间、且包含半导体材料和含氟聚合物的空穴注入层。

12.根据权利要求1或2所述的有机光电子元件，其中，所述有机光电子元件为有机EL元件。