[发明专利]用于外延沉积工艺的注入组件有效
申请号: | 201880054509.0 | 申请日: | 2018-07-10 |
公开(公告)号: | CN110998793B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 大木慎一;青木裕司;森义信 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;C23C16/44 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 外延 沉积 工艺 注入 组件 | ||
1.一种气体引入插件,包含:
气体分配组件,具有主体;
复数个气体注入通道,形成于所述气体分配组件内,所述复数个气体注入通道的至少一部分邻接于在所述气体分配组件中形成的盲通道;和
整流板,定界所述复数个气体注入通道和所述盲通道的一侧,所述整流板包括未穿孔部分,所述未穿孔部分在对应于所述气体分配组件中所述盲通道的位置的位置处。
2.如权利要求1所述的气体引入插件,其中所述盲通道定位于所述气体分配组件的端处。
3.如权利要求1所述的气体引入插件,其中所述盲通道包含两个盲通道,并且所述整流板在所述整流板的相对的端处包括所述未穿孔部分。
4.如权利要求1所述的气体引入插件,其中所述整流板的长度大于所述气体分配组件的气体注入部分的长度。
5.如权利要求4所述的气体引入插件,其中所述气体分配组件的所述气体注入部分的所述长度大体上等于基板的直径。
6.如权利要求1所述的气体引入插件,其中所述复数个气体注入通道的每一个通过所述整流板、外部壁和中央分隔件定界。
7.如权利要求6所述的气体引入插件,其中所述盲通道通过所述整流板、所述外部壁和所述气体分配组件的端壁定界。
8.一种用于反应腔室的气体引入插件,所述气体引入插件包含:
注入块,具有至少一个入口以将前驱物气体从至少两个气源输送至复数个气室;
气体分配组件,耦合至所述注入块;
整流板,定界所述复数个气室的一侧,所述整流板在所述整流板的相对的端上包括未穿孔部分;和
复数个气体注入通道,形成于所述气体分配组件的主体内,所述复数个气体注入通道的至少一部分邻接于在所述主体中形成的盲通道,所述盲通道对应于所述整流板的所述未穿孔部分的位置。
9.如权利要求8所述的气体引入插件,其中所述复数个气体注入通道的每一个通过所述整流板、外部壁和中央分隔件定界。
10.如权利要求9所述的气体引入插件,其中所述盲通道通过所述整流板、所述外部壁和所述气体分配组件的端壁定界。
11.如权利要求8所述的气体引入插件,其中所述整流板的长度大于所述气体分配组件的气体注入部分的长度。
12.如权利要求11所述的气体引入插件,其中所述气体分配组件的所述气体注入部分的所述长度大体上等于基板的直径。
13.如权利要求8所述的气体引入插件,其中所述盲通道定位于所述气体分配组件的端处。
14.如权利要求8所述的气体引入插件,其中所述盲通道包含两个盲通道,并且所述整流板在所述整流板的相对的端处包括所述未穿孔部分。
15.如权利要求8所述的气体引入插件,其中跨所述气体分配组件的速度以+/-0.5米/秒而改变。
16.一种气体引入插件,包含:
气体分配组件,具有主体;
复数个气体注入通道,形成于所述气体分配组件内,所述复数个气体注入通道的至少一部分邻接于在所述气体分配组件中形成的盲通道;和
整流板,定界所述复数个气体注入通道和所述盲通道的一侧,所述整流板包括穿孔部分和未穿孔部分,所述未穿孔部分在对应于所述气体分配组件中所述盲通道的位置的位置处,其中所述盲通道在所述盲通道的一端是开放的。
17.如权利要求16所述的气体引入插件,其中跨所述气体分配组件的速度以+/-0.5米/秒而改变。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880054509.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:掺硫的碳质多孔材料
- 下一篇:具有全氟聚合物的改性塑料表面及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造