[发明专利]气相生长方法

说明书

将基板载置于设置在反应室内的旋转部上，从基板的上方朝基板的上表面供给不含原料气体的第一工艺气体，并且一边使基板以300rpm以上旋转一边使壁面的温度变动，在使基板的温度上升后，将基板控制为预定的成膜温度，并从基板的上方朝基板的上表面供给包含原料气体的第二工艺气体而在基板上生长SiC膜。

技术领域

本发明涉及气相生长方法。

背景技术

作为下一代的半导体器件用的材料，期待使用SiC(碳化硅)。SiC与Si(硅)相比较，具有带隙为3倍、击穿电场强度为约10倍、热传导率为约3倍的优异的物性。若能够活用该特性，则能够实现低损失且能够进行高温动作的半导体器件。

在使用了CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相生长)的SiC外延生长膜的生长工序中，SiC堆积在反应室内的从气体供给部至SiC基板的路径中的高温部、特别是热壁(hot wall)。所堆积的SiC会剥离而成为掉落物(颗粒)。

存在如下的顾虑：掉落物在SiC外延膜的生长前或者生长中掉落至SiC基板上而埋入SiC外延膜的内部、或者产生以掉落物为起点的三角形缺陷等，从而成为器件致命缺陷。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009－164162号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明所要解决的课题在于，提供一种能够以高生产率生长高品质且高均匀性的外延膜的气相生长方法。

用于解决课题的手段

本发明的一个方式的气相生长方法为，将基板载置于设置在反应室内的旋转部上，一边从基板的上方朝基板的上表面供给不含原料气体的第一工艺气体并使基板以300rpm以上旋转，一边使壁面的温度变动，在使基板的温度上升后，将基板控制为预定的成膜温度，并从基板的上方朝基板的上表面供给包含原料气体的第二工艺气体而在基板上生长SiC膜。

在上述方式的气相生长方法中，优选形成为，在基板上生长所期望的SiC膜后，使基板的温度下降，一边从基板的上方朝基板的上表面供给第一工艺气体并使基板以300rpm以上旋转，一边使壁面的温度变动。

在上述方式的气相生长方法中，优选形成为，一边使基板以300rpm以上旋转，一边通过使第一工艺气体从惰性气体变化为氢气或者从氢气变化为惰性气体而使壁面的温度变化。

在上述方式的气相生长方法中，优选形成为，在基板的温度为1300℃以下的状态下，使壁面的温度变化。

在上述方式的气相生长方法中，优选形成为，在将基板从旋转部取下的状态下使旋转部以100rpm以上旋转。

发明效果

根据本发明的一个方式，能够提供一种能够以高生产率生长高品质且高均匀性的外延膜的气相生长方法。

附图说明

图1是实施方式的气相生长装置的示意剖视图。

图2是示出实施方式的气相生长方法中的SiC基板的温度、朝第二加热器的投入电力、导入的气体种类、基座保持器旋转速度的时间变化的示意图。

图3是示出实施方式的气相生长方法中的气相生长装置内的掉落物的落下的方式的示意图。

图4是实施方式的气相生长方法的流程图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。