[发明专利]气体分离方法及气体分离膜

权利要求书

1.气体分离方法，其为使用气体分离膜从混合气体中使特定的气体(A)选择性透过的气体分离方法，

所述气体分离方法包括将所述混合气体供给至所述气体分离膜的一个面的步骤，

所述气体分离膜是在牺牲膜的表面涂布包含聚二甲基硅氧烷的溶液之后、从得到的涂布膜去除溶剂从而在牺牲膜上形成的、并且使牺牲膜溶解于可溶解牺牲膜的液体而得的聚二甲基硅氧烷膜，

所述气体分离膜的膜厚为200nm以下，

所述混合气体中的所述气体(A)的浓度为10000质量ppm以下，

利用所述气体分离膜的所述气体(A)的选择性透过在所述气体分离膜的两面处的压力差为1个大气压以下的条件下进行。

2.根据权利要求1所述的气体分离方法，其中，作为所述气体分离膜，不包括经氧等离子体处理的聚二甲基硅氧烷(PDMS)膜。

3.根据权利要求1所述的气体分离方法，其中，所述气体分离膜与多孔质的支撑膜层叠，并且，具有在与所述支撑膜的接触面处即便在所述支撑膜中的孔部上也能以平坦的膜的形式存在的自立性。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的气体分离方法，其中，所述气体(A)为二氧化碳。

5.气体分离膜，其是用于从气体分离膜中选择性透过从而使混合气体中的特定的气体(A)的浓度降低的气体分离膜，

所述混合气体中的所述气体(A)的浓度为10000质量ppm以下，

利用所述气体分离膜的所述气体(A)的选择性透过在所述气体分离膜的两面处的压力差为1个大气压以下的条件下进行，

所述气体分离膜是在牺牲膜的表面涂布包含聚二甲基硅氧烷的溶液之后、从得到的涂布膜去除溶剂从而在牺牲膜上形成的、并且使牺牲膜溶解于可溶解牺牲膜的液体而得的膜厚为200nm以下的由聚二甲基硅氧烷形成的膜，

其中，所述气体分离膜不包括经氧等离子体处理的聚二甲基硅氧烷(PDMS)膜。

6.根据权利要求5所述的气体分离膜，在与多孔质的支撑膜层叠的情况下，所述气体分离膜具有在与所述支撑膜的接触面处即便在所述支撑膜中的孔部上也能以平坦的膜的形式存在的自立性。

7.根据权利要求5或6所述的气体分离膜，其显示出下述特性：随着使所述混合气体向所述气体分离膜的供给量或流量降低，能使被所述气体分离膜处理后的所述混合气体中的所述气体(A)的浓度降低。

8.根据权利要求5～7中任一项所述的气体分离膜，其中，所述气体(A)为二氧化碳。

9.气体分离膜的用途，其包含：

从气体分离膜中选择性透过从而使混合气体中的特定的气体(A)的10000质量ppm以下的浓度进一步降低，

利用所述气体分离膜的所述气体(A)的选择性透过在所述气体分离膜的两面处的压力差为1个大气压以下的条件下进行，

所述气体分离膜是在牺牲膜的表面涂布包含聚二甲基硅氧烷的溶液之后、从得到的涂布膜去除溶剂从而在牺牲膜上形成的、并且使牺牲膜溶解于可溶解牺牲膜的液体而得的膜厚为200nm以下的由聚二甲基硅氧烷形成的膜。

10.根据权利要求9所述的用途，其中，作为所述气体分离膜，不包括经氧等离子体处理的聚二甲基硅氧烷(PDMS)膜。

11.根据权利要求9所述的用途，其中，在将所述气体分离膜与多孔质的支撑膜层叠的情况下，所述气体分离膜具有在与所述支撑膜的接触面处即便在所述支撑膜中的孔部上也能以平坦的膜的形式存在的自立性。

12.根据权利要求9～11中任一项所述的用途，其显示出下述特性：随着使所述混合气体向所述气体分离膜的供给量或流量降低，能使被所述气体分离膜处理后的所述混合气体中的所述气体(A)的浓度降低。