[发明专利]芯片结构

说明书

在本发明中，提供了一种适用于雷达应用的芯片结构。所述芯片结构包括至少一个镓基第一层(1)，以执行RF应用；至少一个镓基第二层(2)，置于所述第一层(1)上，以执行数字应用；位于第一层(1)和第二层(2)之间的至少两个铜基柱(3)，在第一层(1)和第二层(2)之间提供电连接，并确保第一层(1)和第二层(2)之间存在安全距离。

技术领域

本发明涉及一种特别适用于相控阵雷达应用的芯片结构。

背景技术

相控阵雷达由多个接收和/或发射模块和天线组成，必须由波长施加的一定距离将它们隔开。根据操作频段，模块之间的距离必须很小。在相控阵雷达应用中，几乎同时执行不同的任务(例如发送信号、接收信号、处理信号等)。由于每个微波模块的可用空间有限，并且分配的任务数量很高，因此模块中使用的芯片需要很小的尺寸。此外，芯片的脆裂性质在处理上限制了最大的芯片尺寸。大多数硅酮基半导体技术兼容模拟、数字和RF电路，因此可以形成同时具有模拟、数字和RF电路的硅酮基紧凑型多通道芯片。但是，与其他半导体技术(如砷化镓)相比，硅基技术的某些关键RF性能受到限制(噪声系数，输出功率等)。尽管砷化镓基技术具有更好的RF性能，但其完整性低于硅酮基技术，这使芯片尺寸增加到了不可接受的水平。

发明内容

在本发明中，提供了一种适用于相控阵雷达应用的芯片结构。所述芯片结构包括至少一个镓基第一层，以执行RF应用；至少一个镓基第二层，置于所述第一层上，以执行数字应用；位于第一层和第二层之间的至少两个铜基支柱，在第一层和第二层之间提供电连接，并确保第一层和第二层之间存在安全距离，以防止任何非期望的RF耦合。

在本申请中，芯片结构具有多层，用于执行不同应用(即，RF应用和数字应用)。在第一层中以高性能执行RF应用，在第二层中执行数字应用。因此，使用本申请的芯片结构，以更小的占用空间执行RF应用和数字应用。

发明目的

本发明的目的是提供一种既执行数字应用又执行RF应用的芯片结构。

本发明的另一个目的是提供一种紧凑的芯片结构，在数字和RF应用中具有高性能。

本发明的另一个目的是提供一种适用于相控阵雷达应用的芯片结构。

附图说明

图1是本申请的芯片结构的透视图。

图中所示的所有部件均单独分配了附图标号，这些标号的相应术语如下：

第一层(1)

第二层(2)

支柱(3)

具体实施方式

在雷达应用中，数字电路和RF电路需要一起使用。为了在单个芯片上执行多通道数字和RF程序，通常使用硅酮基结构。然而，由于硅酮基结构的RF性能受到限制，因此所述单个芯片结构的整体性能受到限制。因此，本发明提供了执行数字和RF应用的芯片结构。

图1示出了本发明的芯片结构的透视图。所述芯片结构包括至少一个镓基(例如砷化镓-GaAs，氮化镓-GaN等)第一层(1)，以执行RF应用；至少一个镓基(例如砷化镓-GaAs，氮化镓-GaN等)第二层(2)，置于所述第一层(1)上，以执行数字应用；位于第一层(1)和第二层(2)之间的至少两个铜基支柱(3)，在第一层(1)和第二层(2)之间提供电连接，并确保第一层(1)和第二层(2)之间存在安全距离。