[发明专利]摄像元件、堆叠型摄像元件和固态摄像装置在审
申请号: | 201880053572.2 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN111095559A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 佐藤友亮;古闲史彦 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 元件 堆叠 固态 装置 | ||
1.一种摄像元件,其包括:
光电转换单元,其通过堆叠第一电极、光电转换层和第二电极形成,
其中,所述光电转换单元还包括:
电荷存储电极,其具有隔着绝缘层与所述第一电极相对的对向区域,以及
传输控制电极,其隔着所述绝缘层与所述第一电极、所述电荷存储电极相对,并且
所述光电转换层隔着所述绝缘层至少布置在所述电荷存储电极上方。
2.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,所述光电转换层隔着所述绝缘层至少布置在所述电荷存储电极和所述传输控制电极上方。
3.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,
所述电荷存储电极的平面形状是具有四个角部的矩形,所述四个角部包括第一角部、第二角部、第三角部和第四角部,并且
所述第一角部对应于所述对向区域。
4.根据权利要求3所述的摄像元件,其中,所述第一角部具有圆度。
5.根据权利要求3所述的摄像元件,其中,所述第一角部具有倒角。
6.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,
所述传输控制电极由两个传输控制电极区段形成,并且
所述两个传输控制电极区段和所述电荷存储电极的位于所述对向区域两侧的两个侧边隔着所述绝缘层相邻地布置。
7.根据权利要求6所述的摄像元件,其中,当将所述电荷存储电极的位于所述对向区域两侧的两个侧边设定为第一侧边和第二侧边,所述第一侧边的长度为L1,且所述第二侧边的长度为L2时,所述第一电极与所述传输控制电极区段的端部之间的沿所述第一侧边的距离在0.02×L1至0.5×L1范围内,并且所述第一电极与所述传输控制电极区段的端部之间的沿所述第二侧边的距离在0.02×L2至0.5×L2范围内。
8.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,所述传输控制电极以框架形式围绕所述电荷存储电极。
9.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,
所述电荷存储电极的平面形状为矩形,
所述对向区域毗邻所述电荷存储电极的一个侧边,
所述传输控制电极由两个传输控制电极区段形成,
第一传输控制电极区段相邻于所述对向区域并且隔着所述绝缘层与所述第一电极、所述电荷存储电极的第一区域相对,所述电荷存储电极的所述第一区域毗邻所述电荷存储电极的一个侧边,并且
第二传输控制电极区段相邻于所述对向区域并且隔着所述绝缘层与所述第一电极、所述电荷存储电极的第二区域相对,所述电荷存储电极的所述第二区域毗邻所述电荷存储电极的一个侧边。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880053572.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的