[发明专利]发光器件和发光器件封装有效
| 申请号： | 201880053558.2 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN111033765B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 金泰培;任祥均;金显炅;崔容勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 封装 | ||
1.一种发光器件，包括：
半导体层；和
发光层，设置在所述半导体层中并具有Ga(1-x)InxN的组成比，
其中x大于0.14但小于0.16以从所述发光层发射蓝光，或大于0.22但小于0.26以从所述发光层发射绿光。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中当x大于0.14但小于0.161时，所述发光层发射具有在461nm至466nm的范围内的波长带的蓝光。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中当x大于0.22但小于0.26时，所述发光层发射具有在540nm至545nm的范围内的波长带的绿光。
4.一种发光器件封装，包括：
主体框架，在其中设置空腔；
发光器件，设置在所述空腔中且在所述主体框架上，
其中所述发光器件包括具有Ga(1-x)InxN的组成比的发光层，并且
其中x大于0.14但小于0.16以从所述发光层发射蓝光，或大于0.22但小于0.26以从所述发光层发射绿光。
5.根据权利要求4所述的发光器件封装，其中当x大于0.14但小于0.161时，所述发光层发射具有在461nm至466nm的范围内的波长带的蓝光。
6.根据权利要求4所述的发光器件封装，其中当x大于0.22但小于0.26时，所述发光层发射具有在540nm至545nm的范围内的波长带的绿光。
7.根据权利要求4所述的发光器件封装，还包括设置在所述空腔中且在所述主体框架上的多个发光器件。
8.一种发光器件，包括：
基板；
设置在所述基板上的第一半导体层；
设置在所述第一半导体层上的发光层；以及
设置在所述发光层上的第二半导体层，
其中所述发光层包括Ga(1-x)InxN，并且
其中x大于0.14但小于0.16以从所述发光层发射蓝光，或大于0.22但小于0.26以从所述发光层发射绿光。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中当x大于0.14但小于0.161时，所述发光层发射具有在461nm至466nm的范围内的波长带的蓝光。
10.根据权利要求8所述的发光器件，其中当x大于0.22但小于0.26时，所述发光层发射具有在540nm至545nm的范围内的波长带的绿光。
11.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第一半导体层是N型的，并且
所述第二半导体层是P型的。
12.根据权利要求11所述的发光器件，还包括：
N型电极，设置在所述第一半导体层上并且连接到第一引线框架；和
P型电极，设置在所述第二半导体层上并且连接到第二引线框架。
13.根据权利要求12所述的发光器件，还包括插设在所述N型电极和所述第一引线框架之间的粘合层。
14.根据权利要求12所述的发光器件，还包括插设在所述P型电极和所述第二引线框架之间的粘合层。
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