[发明专利]半导体存储器装置中的电力供应布线

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

多层级布线结构，其包含第一层级布线层、第二层级布线层和在所述第一层级布线层与所述第二层级布线层之间的绝缘膜；

第一存储器片块，其包含多个第一存储器单元、各自形成为所述第一层级布线层的多个第一电力供应线、各自形成为所述第二层级布线层的多个第二电力供应线以及各自形成为所述第二层级布线层的多个信号线；

第二存储器片块，其包含多个第二存储器单元、各自形成为所述第一层级布线层的多个第三电力供应线以及各自形成为所述第二层级布线层的多个第四电力供应线，其中所述多个信号线不到达所述第二存储器片块；

再分布布线层，其在所述多层级布线结构上方；以及

电力供应增强线，其形成为所述再分布布线层，所述电力供应增强线超出所述第一存储器片块且到达所述第二存储器片块上方以电耦合到所述多个第四电力供应线中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述再分布布线层的电阻率低于所述第一层级布线层和所述第二层级布线层中的每一者。

3.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括在所述第一存储器片块与所述第二存储器片块之间的感测放大器形成区，所述感测放大器形成区包含多个感测放大器，且其中所述多个信号线中的每一者终止于所述感测放大器形成区上方而以操作方式耦合到所述多个感测放大器中的选定者。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述多层级布线结构进一步包含下部层级布线层和在所述下部层级布线层与所述第一层级布线层之间的额外绝缘膜。

5.一种半导体装置，其包括：

第一和第二存储器片块，所述第一和第二存储器片块中的每一者包含多个存储器单元；

多个第一电力布线，其在所述第一存储器片块上方；

多个第二电力布线，其在所述第二存储器片块上方；

感测放大器，其在所述第一与第二存储器片块之间；

数据放大器，其经布置以使得所述第二存储器片块包夹在所述数据放大器与所述感测放大器之间；

主输入/输出线，其以与所述数据放大器的电连接从所述数据放大器延伸，经过所述第二存储器片块上方且以与所述感测放大器的电连接终止于所述感测放大器上方；

绝缘层，其覆盖所述多个第一电力布线、所述多个第二电力布线和所述主输入/输出线；

电力供应增强布线，其在所述绝缘层上方；以及

接触插塞，其在所述绝缘层中，用以将所述电力供应增强布线电连接到所述第一存储器片块上方的所述多个第一电力供应布线中的至少一个。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述接触插塞是第一接触插塞，所述半导体装置进一步包括：

列解码器，其邻近于所述第一存储器片块；

多个第三电力布线，其在所述列解码器上方；以及

第二接触插塞，其在所述绝缘层中，用以将所述电力供应增强布线电连接到所述列解码器上方的所述多个第三电力供应布线中的至少一个。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述接触插塞是第一接触插塞，所述感测放大器是第一感测放大器，所述数据放大器是第一数据放大器，且所述主输入/输出线是第一主输入/输出线，所述半导体装置进一步包括：

第三和第四存储器片块，所述第三和第四存储器片块中的每一者包含多个存储器单元；

多个第三电力布线，其在所述第三存储器片块上方；

多个第四电力布线，其在所述第四存储器片块上方；

第二感测放大器，其在所述第三与第四存储器片块之间；

第二数据放大器，其邻近于所述第一存储器片块且经布置以使得所述第三存储器片块包夹在所述第二数据放大器与所述第四感测放大器之间；

第二主输入/输出线，其以与所述第二数据放大器的电连接从所述第二数据放大器延伸，经过所述第四存储器片块上方且以与所述第二感测放大器的电连接终止于所述第二感测放大器上方；以及

第二接触插塞，其在所述绝缘层中，用以将所述电力供应增强布线电连接到所述第三存储器片块上方的所述多个第三电力供应布线中的至少一个。