[发明专利]集成式外延系统高温污染物去除

权利要求书

1.一种真空处理系统，包含：

第一传送腔室，所述第一传送腔室耦接到至少一个膜形成腔室；

第二传送腔室；

等离子体污染物去除腔室，所述等离子体污染物去除腔室耦接至所述第一传送腔室或所述第二传送腔室，所述等离子体污染物去除腔室具有加热的基板支撑件，所述基板支撑件进行操作以将设置在所述基板支撑件上的基板加热至摄氏650度的温度；及

装载锁定腔室，所述装载锁定腔室耦接至所述第二传送腔室。

2.如权利要求1所述的真空处理系统，其中所述等离子体污染物去除腔室包含：远程等离子体源，所述远程等离子体源耦接至腔室的盖。

3.如权利要求1所述的真空处理系统，其中所述膜形成腔室是外延腔室。

4.如权利要求3所述的真空处理系统，其中所述等离子体污染物去除腔室是氢等离子体处理腔室。

5.如权利要求4所述的真空处理系统，所述真空处理系统进一步包含：退火腔室。

6.如权利要求3所述的真空处理系统，其中所述膜形成腔室在平面图中具有矩形框的形状。

7.如权利要求3所述的真空处理系统，其中所述膜形成腔室包括多个聚光灯。

8.一种真空处理设备，包含：

第一传送腔室，所述第一传送腔室耦接到至少一个气相外延腔室；

第二传送腔室，所述第二传送腔室通过一或多个直通站耦接至所述第一传送腔室；

等离子体污染物去除腔室，所述等离子体污染物去除腔室耦接至所述第一传送腔室或所述第二传送腔室，所述等离子体污染物去除腔室包含：

远程等离子体源；

磁离子过滤器；及

基板支撑件，所述基板支撑件进行操作以将设置于所述所述基板支撑件上的基板加热至在摄氏400度与摄氏650度之间的温度；及

装载锁定腔室，所述装载锁定腔室耦接至所述第二传送腔室。

9.如权利要求8所述的真空处理设备，其中所述至少一个气相外延腔室在平面图中具有矩形框的形状。

10.如权利要求8所述的真空处理设备，其中所述至少一个气相外延腔室是外延腔室。

11.如权利要求8所述的真空处理设备，其中所述远程等离子体源耦接至所述腔室的盖。

12.如权利要求8所述的真空处理设备，其中所述至少一个气相外延腔室包含：多个具有细长的管型的辐射加热元件。

13.如权利要求12所述的真空处理设备，其中所述至少一个气相外延腔室包含：多个聚光灯。

14.如权利要求8所述的真空处理设备，其中所述至少一个气相外延腔室包含：多个聚光灯。

15.如权利要求7所述的真空处理设备，所述真空处理设备进一步包含：退火腔室。