[发明专利]用于离子注入的含锑材料

权利要求书

1.一种适于离子注入的组合物，其用于注入含锑离子以形成n型电子器件结构，所述组合物包含：

含锑材料，所述含锑材料在环境温度下是化学稳定的，并且在低于大气压的储存条件下保持为液相，并且进一步地，其中所述储存条件的特征在于不存在痕量水分；

所述含锑材料由不含碳的化学式表示；并且

所述含锑材料处于所述液相，所述液相与相应的蒸气相基本平衡，所述蒸气相适于响应于下游真空压力条件而施加足够的蒸气压，

其中所述足够的蒸气压表示维持响应于下游真空压力条件的流速为0.1-100sccm的所述相应的蒸气相的量。

2.根据权利要求1所述的组合物，还包含含氢化合物，并且进一步地，其中所述含氢化合物的量为减轻卤素循环的有效量。

3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述含锑材料是SbF₅。

4.根据权利要求1所述的组合物，其中所述含锑材料包含不大于约50ppm的水分。

5.根据权利要求1所述的组合物，其中所述含锑材料是SbF₅，所述SbF5在约25摄氏度下保持为蒸气压为约10托的液体。

6.一种低于大气压的储存和输送器皿，所述器皿用于适于离子注入的组合物，其用于注入锑离子以形成n型电子器件结构，所述器皿包含：

含锑材料，所述含锑材料在环境温度下是化学稳定的；

所述含锑材料由不含碳的化学式表示；

储存和输送器皿，所述储存和输送器皿至少部分地由无水分的环境所限定，所述环境的特征在于不存在痕量的水分，所述储存和运输器皿被配置用于在低于大气压的条件下将所述含锑材料保持在液相，由此所述液相与占据所述储存和输送器皿的顶部空间的相应蒸气相基本平衡，以致足量的所述含锑材料的所述液相蒸发成所述相应蒸汽相，以保持流动到电弧室中的流速为0.1-100sccm。

7.根据权利要求6所述的低于大气压的储存和输送器皿，还包括与所述储存和输送器皿机械连通的双端口阀组件，所述双端口阀包括填充端口阀和排放端口阀，其中所述填充端口阀与所述储存和输送器皿的内部流体连通，以将所述含锑材料引入其中，并且所述排放端口阀与从所述储存和输送器皿的内部延伸到外部的流动排放路径流体连通，以从其中排放所述含锑材料的所述相应蒸气相。

8.根据权利要求6所述的低于大气压的储存和输送器皿，其中所述含锑材料在约20-25℃下作为液体储存，其蒸气压大于约1托。

9.根据权利要求6所述的低于大气压的储存和输送器皿，还包含含氢化合物，所述含氢化合物与所述含锑材料混合作为单源供应的一部分，或者作为试剂盒的一部分储存在单独的器皿中。

10.一种操作离子源以注入含Sb离子的方法，所述方法包括：

以至少约0.1sccm或更大的流速将蒸气相的含锑材料引入电弧室；

电离所述含锑材料以在所述电弧室中产生含Sb离子；并且

将所述含Sb离子注入到衬底中；

其中，对于约50小时的离子源寿命，干扰率不大于约每分钟1次干扰。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括将有效量的含氢化合物引入到所述电弧室中。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，在不加热所述蒸气相的情况下，将以所述蒸气相储存的所述含锑材料提供给所述电弧室。

13.根据权利要求10所述的方法，还包括在操作所述离子源的所述方法期间，保持所述含锑材料的蒸发速率从而以至少约0.1sccm或更高的流速产生所述蒸气相。

14.根据权利要求10所述的方法，还包括保持所述蒸气相的所述含锑材料的温度不超过约65摄氏度。