[发明专利]用于生产密封光半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201880053054.0 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111033769B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 北浦英二;尼子雅章;S·斯威尔 | 申请（专利权）人： | 杜邦东丽特殊材料株式会社;美国陶氏有机硅公司 |
| 主分类号： | H01L33/54 | 分类号： | H01L33/54;H01L33/50;H01L33/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱文宇;陈哲锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 生产 密封 半导体 装置 方法 | ||
1.一种用于生产密封光半导体装置的方法，所述方法包括：其中在减压室内将包括内层密封膜和最外层密封膜的至少两种类型的密封膜按照此顺序放置在其上安装光半导体元件的光半导体元件安装基板上并且降低所述减压室中的压力的步骤；
其中加热所述最外层密封膜并且使所述最外层密封膜的至少周边热熔合到所述光半导体元件安装基板的表面的步骤；以及
其中释放所述减压室内的减压并且通过所述最外层密封膜和所述内层密封膜密封所述光半导体元件安装基板的步骤，其中当释放所述减压室内的减压时所述光半导体元件安装基板的温度T2为所述最外层密封膜展现了0.02-0.15 MPa的拉伸强度以及200%-450%的断裂伸长率的温度，并且所述内层密封膜在所述温度T2下展现了1.6或更大的损耗角正切（tan δ）。
2.如权利要求1所述的用于生产密封光半导体装置的方法，其中，所述内层密封膜和最外层密封膜由热固性有机硅树脂制成。
3.如权利要求1或2所述的用于生产密封光半导体装置的方法，其中，所述内层密封膜包含颗粒，且所述颗粒选自磷光体和填料。
4.如权利要求1所述的用于生产密封光半导体装置的方法，其中，所述内层密封膜和最外层密封膜各自具有不小于10 µm且不超过300 µm的厚度。
5.如权利要求1所述的用于生产密封光半导体装置的方法，其中，所述温度T2不小于70°C且不超过180°C。
6.如权利要求1所述的用于生产密封光半导体装置的方法，其中，所述光半导体元件安装基板上的光半导体元件之间的最小距离大于所述密封膜的总厚度。
7.如权利要求1所述的用于生产密封光半导体装置的方法，其中，所述光半导体元件安装基板上的所述光半导体装置的高度T与所述光半导体装置之间的距离L之间的纵横比（T/L）最大不超过3。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杜邦东丽特殊材料株式会社;美国陶氏有机硅公司，未经杜邦东丽特殊材料株式会社;美国陶氏有机硅公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880053054.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
