[发明专利]并入了过渡时间信号节点感测的方法和电路装置

权利要求书

1.一种电路装置，其包括：

第一电路，被配置为当被使能时将信号值耦合到第一节点上；和

读取电路，其具有耦合到所述第一节点的输入端，被配置为以对应于所述第一节点的电压的可变速率实现信号节点的电压过渡，并且基于所述信号节点的过渡时间测量来确定所述信号值。

2.根据权利要求1所述的电路装置，其中：

所述读取电路被配置为在所述信号值耦合到所述第一节点上之前执行所述信号节点的校准过渡时间测量以校准所述第一节点的参考条件，并且还被配置为在所述信号值耦合到所述第一节点上之后执行所述信号节点的第二过渡时间测量，以及还被配置为将所述第二过渡时间测量与所述校准过渡时间测量进行比较以确定所述信号值。

3.根据权利要求2所述的电路装置，其中：

所述第一电路包括功能电路；和

所述第一节点包括所述功能电路的输出节点。

4.根据权利要求3所述的电路装置，其中所述功能电路包括算术电路。

5.根据权利要求3所述的电路装置，其中所述功能电路包括逻辑电路。

6.根据权利要求3所述的电路装置，其中所述功能电路包括逻辑斯蒂电路。

7.根据权利要求2所述的电路装置，其中所述读取电路包括：

过渡时间测量电路，其具有耦合到所述信号节点的输入端，并且具有包括多个延迟级的延迟线，每个延迟级都耦合到响应于共同选通时钟的多个寄存器中的相应一个。

8.根据权利要求2所述的电路装置，其中：

所述第一电路包括存储器单元；和

所述第一节点包括位线。

9.根据权利要求8所述的电路装置，其中：

所述存储器单元包括1T DRAM存储器单元，所述1T DRAM存储器单元具有耦合到相关联字线的第一端子，并且具有耦合到所述位线的第二端子；和

所述信号节点包括读位线节点；

其中所述读取电路还包括读取放电电路，所述读取放电电路具有耦合到所述位线的输入端和耦合到所述读位线的输出端。

10.根据权利要求9所述的电路装置，其中所述读取电路包括：

放电时间测量电路，其具有耦合到所述信号节点的输入端，并且具有包括多个延迟级的延迟线，每个延迟级耦合到响应于共同选通时钟的多个寄存器中的相应一个；

预充电及平衡电路，其被配置为建立所述位线的所述参考条件，并且将所述读位线预充电到预充电电压；和

其中所述参考条件包括VDD和地之间的中间电压。

11.根据权利要求10所述的电路装置，其中所述放电时间测量电路还包括：

输入级，其具有耦合到所述读位线的输入端，并且具有耦合到所述延迟线的输出端，所述输入级被配置为当所述读位线已经下降到其预充电电压的预定百分比时，在其输出端上产生定时信号。

12.根据权利要求10所述的电路装置，其中所述预充电及平衡电路包括：

第一晶体管，其用于在被使能时将所述位线预充电到地电压；

第二晶体管，其用于在被使能时将第二位线预充电到VDD电压；

第三晶体管，其用于在被使能时将所述位线和所述相邻位线耦合在一起，以将这两根位线的所述电压建立在实质上等于VDD/2的电压处；和

第四晶体管，其用于在被使能时将所述读位线预充电到VDD电压。

13.一种用于集成电路中的用于确定信号值的方法，所述方法包括：

使能第一电路以将信号值耦合到第一节点上；和

使用具有耦合到所述第一节点的输入端的读取电路，以对应于所述第一节点的电压的可变速率实现信号节点的电压过渡；和

使用所述读取电路基于所述信号节点的过渡时间测量来确定所述信号值。