[发明专利]具有介电翼片的高Q体声谐振器

权利要求书

1.一种体声波BAW谐振器，包括：

基板；

底部电极，置于所述基板上；

压电层，置于所述底部电极上；

顶部电极，置于所述压电层上且在一侧边沿通过顶部电极连接部被电端接；

有源谐振器区域，由所述底部电极、压电层和顶部电极层的重叠部形成；

由介电3D结构形成的内部翼片，其中，所述内部翼片位于所述有源谐振器区域的第一边缘区域或与所述有源谐振器区域的所述第一边缘区域相邻，所述内部翼片朝向所述有源谐振器区域(AR)的中心向内延伸，并且所述内部翼片具有平行于所述BAW谐振器顶表面的节段；以及

置于所述顶部电极连接部上的外部翼片，其中，所述外部翼片远离所述有源谐振器区域延伸，且所述外部翼片具有与所述顶部电极连接部的顶表面平行的突出节段而保持所述突出节段与所述顶部电极顶表面之间的外部间隙。

2.根据权利要求1所述的BAW谐振器，

其中，所述外部翼片和所述内部翼片形成共同的3D结构。

3.根据权利要求1所述的BAW谐振器，

其中，所述外部翼片沿着所述有源谐振器区域的整个周界延伸，使得所述外部翼片与下面的层在所述下面的层的所有周边位置均保持外部延伸间隙。

4.根据权利要求3所述的BAW谐振器，

其中，所述内部翼片向内延伸使所述内部翼片与所述下面的层之间保持恒定高度的内部间隙。

5.根据权利要求1所述的BAW谐振器，还包括第二边缘区域，其中，在所述第二边缘区域，所述顶部电极具有第一厚度，所述第一厚度小于所述顶部电极在所述有源谐振器区域的第二厚度，且所述第二边缘区域形成了到所述有源谐振器区域的中心的台阶。

6.根据权利要求1所述的BAW谐振器，

其中，所述顶部电极包括第三边缘区域，在所述第三边缘区域中，上面的钝化层在所述第三边缘区域具有比在所述有源谐振器区域的厚度小的厚度，且

所述顶部电极在所述第三边缘区域和所述有源谐振器区域有相同的厚度。

7.根据权利要求6所述的BAW谐振器，

其中，所述内部翼片在所述第三边缘区域遵循所述顶部电极的表面形貌而使得在所述内部翼片与所述顶部电极的表面之间保持恒定高度的内部间隙。

8.根据权利要求1所述的BAW谐振器，

其中，至少在所述有源谐振器区域有钝化层覆盖所述BAW谐振器。

9.根据权利要求2所述的BAW谐振器，

其中，内部翼片和外部翼片的共同的3D结构至少部分地被布置在所述介电层上方。

10.根据权利要求1所述的BAW谐振器，

其中，所述基板包括在所述有源谐振器区域下方的形成空气填充腔体的凹部。

11.根据权利要求1所述的BAW谐振器，

其中所述基板包括被布置在所述有源谐振器区域下方的布拉格镜。

12.一种体声波BAW谐振器，包括：

基板；

底部电极，置于所述基板上；

压电层，置于所述底部电极上；

顶部电极，置于所述压电层上且在一侧边沿通过顶部电极连接部被电端接；

有源谐振器区域，由所述底部电极、压电层和顶部电极层的重叠部形成；

外部翼片，置于所述顶部电极连接部上；以及

内部翼片，由介电3D结构形成，其中：

所述外部翼片和所述内部翼片形成共同3D结构，所述内部翼片和所述外部翼片的共同3D结构至少部分地置于介电层的上方；

所述内部翼片置于所述有源谐振器区域的第一边缘区域之上或与所述有源谐振器区域的所述第一边缘区域相邻，所述内部翼片朝向所述有源谐振器区域的中心向内延伸，且所述内部翼片具有平行于所述BAW谐振器顶表面的节段。