[发明专利]光波导制造方法

权利要求书

1.一种用于制造光波导的方法；所述方法包括以下步骤：

(a)在基材上沉积第一组合物，第一组合物包含：(i)20至99.9重量％的包含环氧基和烯基的第一聚硅氧烷，和(ii)0.1至80重量％的至少一种包含环氧基、分子量不大于1000且折射率至少1.47的第一化合物；(iii)至少一种光致产酸剂；(iv)至少一种氢化硅烷化催化剂

(b)通过经由掩模暴露于紫外线固化第一组合物，以产生包括第一组合物的固化部分和第一组合物的未固化部分的图案化芯层；

(c)去除第一组合物的未固化部分的至少一部分以产生最终的图案化芯层；

(d)在最终的图案化芯层上沉积第二组合物，以生产复合材料，第二组合物包含：(i)20至99.9重量％的包含环氧基的第二聚硅氧烷，(ii)0.1至80重量％的至少一种包含环氧基和硅-氢键的第二化合物，其分子量不大于1000，折射率不大于1.45；和(iii)至少一种光致产酸剂；

(e)在20至150℃的温度下加热所述复合材料0.1至120分钟；

(f)通过暴露在紫外线下固化；和

(g)在60至210℃的温度下加热0.1至10小时。

2.根据权利要求1所述的方法，其中第二化合物的分子量为100至700。

3.根据权利要求2所述的方法，其中第一组合物具有1.52至1.57的折射率。

4.根据权利要求3所述的方法，其中第一化合物包括C₆-C₂₀芳基取代基，并具有分子量为100至600。

5.根据权利要求4所述的方法，其中包含环氧基和烯基的第一聚硅氧烷包含25至60摩尔％的具有式Ep¹SiO_3/2的单元，其中EP¹为环氧基取代的C₃-C₂₀烷基，25-65摩尔％的具有式Ar¹SiO_3/2的单元，其中Ar¹为C₆-C₂₀芳基，和2-20摩尔％的具有式R⁵R⁶R⁷SiO_1/2的单元，其中R⁵和R⁶独立地是C₁-C₁₂烷基，R⁷是C₂-C₁₂烯基。

6.根据权利要求5所述的方法，其中包含环氧基和烯基的第二聚硅氧烷包含25-60摩尔％的具有式Ep²SiO_3/2的单元，其中Ep²是环氧基取代的C₃-C₂₀烷基，25-65摩尔％的具有式Ar²SiO_3/2的单元，其中Ar²是C₆-C₂₀芳基；和2-20摩尔％的具有式R⁸R⁹R¹⁰SiO_1/2的单元，其中R⁸、R⁹和R¹⁰独立地为C₁-C₁₂烷基。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二化合物是其中键合到硅的环氧基和氢连接到不同硅原子的二硅氧烷。

8.根据权利要求7所述的方法，其中R⁷和R¹⁰是乙烯基，Ar¹和Ar²是苯基；R⁵、R⁶、R⁸和R⁹独立地为C₁-C₄烷基；Ep¹和Ep²为包含与环氧乙烷环稠合的环己基的C₅-C₁₀烷基。