[发明专利]扭矩检测器及扭矩检测器的制造方法有效
| 申请号： | 201880052321.2 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN110998265B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 瀬戸祐希;石仓义之;小笠原里奈 | 申请（专利权）人： | 阿自倍尓株式会社 |
| 主分类号： | G01L3/10 | 分类号： | G01L3/10;G01L3/14 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 日本东京千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扭矩 检测器 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种扭矩检测器，包括：
硅层，根据外力而产生应变；
电阻计，形成于所述硅层；
槽部，形成于所述硅层的一面，使所述硅层的形成有所述电阻计的部位为薄壁部；
连通槽部，形成于所述硅层的一面，且将所述槽部与所述硅层的侧面连通；以及
绝缘层，与所述硅层的一面接合。
2.根据权利要求1所述的扭矩检测器，其特征在于，
所述电阻计是通过成膜于所述硅层而形成。
3.根据权利要求1所述的扭矩检测器，其特征在于，
所述电阻计相对于所述硅层的边方向形成于倾斜方向。
4.根据权利要求1所述的扭矩检测器，其特征在于，
所述电阻计是沿所述硅层的边方向而形成。
5.一种扭矩检测器的制造方法，包括如下的步骤：
在根据外力而产生应变的硅层形成电阻计；
在所述硅层的一面，形成使所述硅层的形成有所述电阻计的部位为薄壁部的槽部；
在所述硅层的一面形成将所述槽部与所述硅层的侧面连通的连通槽部；以及
将所述硅层的一面与绝缘层加以接合。
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