[发明专利]等离子体异常判定方法、半导体器件的制造方法、以及基板处理装置

说明书

本发明提供一种能够判定等离子体的异常的技术。提供以下的技术，即，使用配置在处理室内的拍摄装置，拍摄向上述处理室内供给等离子体化了的气体的气体供给口，根据所拍摄的上述气体供给口的图像，检测等离子体的发光强度，根据检测出的发光强度，判定有无发生等离子体的异常放电和有无发生闪烁中的至少一方。

技术领域

本发明涉及等离子体异常判定方法、半导体器件的制造方法、以及基板处理装置。

背景技术

在半导体器件制造工序之一中，有时进行以下的基板处理，即，将基板搬入基板处理装置的处理室内，使用等离子体使供给到处理室内的原料气体和反应气体等活化，在基板上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜，或除去各种膜。为了促进堆积的薄膜的反应，或从薄膜除去杂质，或者辅助成膜原料的化学反应等，而使用等离子体(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-92637号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，如果产生因常年变化、未预期的原因造成的等离子体电极的劣化，则从等离子体生成部或激励种供给口等等离子体生成部周边产生电弧放电等异常放电，或产生等离子体的闪烁，但对这些异常状态的应对方法各自不同，因此有时需要严格地判定所产生的异常。

本发明的目的在于：提供能够判定等离子体的异常的技术。

解决问题的方案

根据本发明的一个实施例，提供一种技术，

使用配置在处理室内的拍摄装置，拍摄向上述处理室内供给等离子体化了的气体的气体供给口，

根据所拍摄的上述气体供给口的图像，检测等离子体的发光强度，

根据检测出的发光强度，判定有无发生等离子体的异常放电和有无发生闪烁中的至少一方。

发明效果

根据本发明，可以提供能够判定等离子体的异常的技术。

附图说明

图1是在本发明的实施方式中适合使用的基板处理装置的纵式处理炉的概要结构图，是用纵截面图表示处理炉部分的图。

图2是在本发明的实施方式中适合使用的基板处理装置的纵式处理炉的概要结构图，是用图1的A-A线截面图表示处理炉部分的图。

图3是在本发明的实施方式中适合使用的基板处理装置的控制器的概要结构图，是用框图表示控制器的控制系统的图。

图4是本发明的实施方式的基板处理工序的流程图。

图5是表示本发明的实施方式的基板处理工序的气体供给的定时的图。

图6是用反应管的纵截面图表示本发明的实施方式的等离子体异常判定时的处理室内的结构的图。

图7是用反应管的横截面图表示本发明的实施方式的等离子体异常判定时的处理室内的结构的图。

图8是用框图表示本发明的实施方式的等离子体异常判定时的控制器的控制系统的图。

图9是表示本发明的实施方式的基板处理工序所使用的等离子体的异常判定的流程图。

图10中的(A)是表示本发明的实施方式的使用等离子体监视器拍摄气体供给口周边所得的图像的一个例子的图，是表示等离子体正常的状态的图。图10中的(B)是表示本发明的实施方式的使用等离子体监视器拍摄气体供给口周边所得的图像的一个例子的图，是表示等离子体异常的状态的图。