[发明专利]蚀刻方法及蚀刻处理设备

说明书

提供了一种蚀刻方法，包括：至少将电力、压力和气体流量的值输入到设置单元；根据输入到设置单元的值，在腔室中进行蚀刻处理；以及通过使用蚀刻处理时的测量值来计算离子能量分布函数。

技术领域

本技术涉及例如适合于原子层蚀刻(ALE：原子层蚀刻)的蚀刻方法和蚀刻处理设备。

背景技术

随着半导体装置的小型化，例如，需要诸如原子层蚀刻技术的更先进的技术(例如，参考PTL1)。

例如，如下进行硅(Si)晶片上的原子层蚀刻。首先，诸如氯(Cl)的卤素基气体被吸引到晶片表面。接下来，在将多余的气体抽真空后，在表面上施加氩(Ar)离子。通过该操作，以反应产物(SiCl)的形式去除晶片表面的单层Si。

引用列表

专利文献

PTL 1：日本未经审查的专利申请公开(PCT申请的翻译)第2002-527887号

发明内容

关于诸如原子层蚀刻的蚀刻方法，期望以高精度控制对晶片的蚀刻深度和损坏。在此，“蚀刻深度”是指去除的膜的深度，以及“损坏”是指由于离子渗透等引起的膜的劣化。

因此，期望提供一种蚀刻方法和蚀刻处理设备，其使得可以以高精度控制对晶片的蚀刻深度和损坏。

根据本技术的实施方式的蚀刻方法包括：至少将电力、压力和气体流量输入到设置单元；基于输入到设置单元的值，在腔室中进行蚀刻处理；以及通过使用蚀刻处理时的测量值来计算离子能量分布函数。

在根据本技术的实施方式的蚀刻方法中，由于例如在蚀刻处理时计算离子能量分布函数，所以离子能量分布函数的最大能量值被提取。

根据本技术的实施方式的蚀刻处理设备包括：设置单元，至少将电力、压力和气体流量输入其中；腔室，在该腔室中，基于输入到设置单元的值进行蚀刻处理；和处理器，通过使用蚀刻处理时的测量值来计算离子能量分布函数。

在根据本技术的实施方式的蚀刻处理设备中，由于例如提供了在蚀刻处理时计算离子能量分布函数的处理器，所以离子能量分布函数的最大能量值被提取。

根据基于本技术的实施方式的蚀刻方法和蚀刻处理设备，由于在蚀刻处理时计算离子能量分布函数，所以可根据提取的离子能量分布函数的最大能量值来调整蚀刻处理条件。因此，可以以高精度控制对晶片的蚀刻深度和损坏。

注意，以上内容是本公开的实例。本公开的效果不限于上述效果，并且可以是其他不同的效果或者可进一步包括其他效果。

附图说明

[图1]图1是示出根据本技术的实施方式的蚀刻处理设备的主要部分的配置的框图。

[图2]图2是示出图1所示的分析仪的分析结果的实例的示图。

[图3A]图3A是示出在图1所示的显示单元上显示的电子温度分布的实例的示图。

[图3B]图3B是示出在图1所示的显示单元上显示的电子温度分布的另一实例的示图。

[图4]图4是示出在图1所示的显示单元上显示的离子能量分布的实例的示图。

[图5A]图5A是示出在图1所示的显示单元上显示的离子渗透深度分布的实例的示图。

[图5B]图5B是在图1所示的显示单元上显示的离子渗透深度分布的另一实例的示图。

[图6]图6是示出图1所示的蚀刻处理设备的操作的流程图。

[图7]图7的(A)至图7的(D)是用于依次说明原子层蚀刻的过程的示图。