[发明专利]太赫兹波产生方法和太赫兹波产生装置

权利要求书

1.一种太赫兹波产生方法，通过使泵浦光入射能够通过光学参量效应产生太赫兹波的非线性光学晶体，在满足非共线相位匹配条件的方向上产生太赫兹波，其特征在于，

以峰值激发功率密度为预定的太赫兹波振荡阈值以上且为预定的激光损伤阈值以下，平均激发功率密度为预定的光折变效应产生阈值以下的方式，使具有10ps以上且1ns以下的脉冲宽度并具有1kHz以上的重复频率的所述泵浦光入射所述非线性光学晶体，

通过改变所述非线性光学晶体的入射面上的所述泵浦光的光束直径来改变所述峰值激发功率密度和所述平均激发功率密度中的至少一者。

2.根据权利要求1所述的太赫兹波产生方法，其特征在于，

通过改变所述泵浦光的功率来改变所述峰值激发功率密度和所述平均激发功率密度中的至少一者。

3.一种太赫兹波产生方法，通过使泵浦光入射能够通过光学参量效应产生太赫兹波的非线性光学晶体，在满足非共线相位匹配条件的方向上产生太赫兹波，其特征在于，

以峰值激发功率密度为预定的太赫兹波振荡阈值以上且为预定的激光损伤阈值以下，平均激发功率密度为预定的光折变效应产生阈值以下的方式，使具有10ps以上且1ns以下的脉冲宽度并具有1kHz以上的重复频率的所述泵浦光入射所述非线性光学晶体，

所述太赫兹波振荡阈值为500MW/cm²。

4.一种太赫兹波产生方法，通过使泵浦光入射能够通过光学参量效应产生太赫兹波的非线性光学晶体，在满足非共线相位匹配条件的方向上产生太赫兹波，其特征在于，

以峰值激发功率密度为预定的太赫兹波振荡阈值以上且为预定的激光损伤阈值以下，平均激发功率密度为预定的光折变效应产生阈值以下的方式，使具有10ps以上且1ns以下的脉冲宽度并具有1kHz以上的重复频率的所述泵浦光入射所述非线性光学晶体，

所述非线性光学晶体是掺氧化镁的同成分铌酸锂晶体，

所述激光损伤阈值为5.6GW/cm²。

5.一种太赫兹波产生方法，通过使泵浦光入射能够通过光学参量效应产生太赫兹波的非线性光学晶体，在满足非共线相位匹配条件的方向上产生太赫兹波，其特征在于，

以峰值激发功率密度为预定的太赫兹波振荡阈值以上且为预定的激光损伤阈值以下，平均激发功率密度为预定的光折变效应产生阈值以下的方式，使具有10ps以上且1ns以下的脉冲宽度并具有1kHz以上的重复频率的所述泵浦光入射所述非线性光学晶体，

所述非线性光学晶体是掺氧化镁的同成分铌酸锂晶体，

所述光折变效应产生阈值为52kW/cm²。

6.一种太赫兹波产生方法，通过使泵浦光入射能够通过光学参量效应产生太赫兹波的非线性光学晶体，在满足非共线相位匹配条件的方向上产生太赫兹波，其特征在于，

以峰值激发功率密度为预定的太赫兹波振荡阈值以上且为预定的激光损伤阈值以下，平均激发功率密度为预定的光折变效应产生阈值以下的方式，使具有10ps以上且1ns以下的脉冲宽度并具有1kHz以上的重复频率的所述泵浦光入射所述非线性光学晶体，

所述非线性光学晶体是近化学计量比铌酸锂晶体，

所述激光损伤阈值为14GW/cm²。

7.一种太赫兹波产生方法，通过使泵浦光入射能够通过光学参量效应产生太赫兹波的非线性光学晶体，在满足非共线相位匹配条件的方向上产生太赫兹波，其特征在于，

以峰值激发功率密度为预定的太赫兹波振荡阈值以上且为预定的激光损伤阈值以下，平均激发功率密度为预定的光折变效应产生阈值以下的方式，使具有10ps以上且1ns以下的脉冲宽度并具有1kHz以上的重复频率的所述泵浦光入射所述非线性光学晶体，

所述非线性光学晶体是近化学计量比铌酸锂晶体，

所述光折变效应产生阈值为2MW/cm²。