[发明专利]等离子体蚀刻工艺中使用涂布部件的工艺裕度扩充

权利要求书

1.一种半导体处理系统，所述系统包含：

远程等离子体区域；

处理区域，所述处理区域通过通道与所述远程等离子体区域流体耦合；以及

气体入口，所述气体入口流体耦合至所述通道，其中：

所述气体入口限定在进入所述处理区域之前不经过所述远程等离子体区域的气体的流动路径，

所述处理区域包含经配置以支撑基板的基座，

所述处理区域至少部分由侧壁和喷淋头限定，并且

所述侧壁和喷淋头镀有镍。

2.如权利要求1所述的系统，其中从所述通道到出口但不包括所述通道的所述处理区域由镀有镍的表面限定，所述出口是从所述处理区域到泵的出口。

3.如权利要求1所述的系统，所述系统进一步包含设置在所述基座的圆周上的圆环，其中所述圆环镀有镍。

4.一种蚀刻方法，所述方法包含：

在腔室的第一部分中混合等离子体流出物与气体以形成第一混合物，其中所述第一部分包含镀镍材料；

在所述腔室的第二部分中使所述第一混合物流到基板，其中

所述第二部分包含镀镍材料，

所述第一混合物在所述腔室中的从所述第一部分到所述第二部分的路径中流动，并且

所述路径由所述腔室的镀镍部件限定；

使所述第一混合物与所述基板反应以相对于第二层选择性蚀刻第一层；

形成第二混合物，所述第二混合物包含来自所述第一混合物与所述基板反应的产物。

5.如权利要求4所述的方法，其中：

所述第一层是热氧化硅层，

所述第二层是硅层，并且

所述第一混合物与所述基板反应包含蚀刻小于1埃的所述第一层和大于50埃的所述第二层。

6.如权利要求4所述的方法，其中所述腔室的所述第二部分在10Torr或更低的压力下。

7.如权利要求4所述的方法，其中所述等离子体流出物包含来自使氨和含氟气体流过等离子体的流出物。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述含氟气体包含NF₃或HF。

9.如权利要求4所述的方法，其中所述等离子体流出物包含来自使氨、NF₃、氩、H₂、氦及HF流过等离子体的流出物。

10.如权利要求4所述的方法，进一步包含：

使所述等离子体流出物流过所述腔室的不包含镀镍材料的第三部分。

11.如权利要求4所述的方法，进一步包含：

使所述第二混合物流过所述腔室的第三部分以离开所述腔室，其中所述腔室的所述第三部分包含镀镍材料。

12.如权利要求4所述的方法，进一步包含将氟原子或氢原子吸附至所述镀镍材料上。

13.一种蚀刻方法，所述方法包含：

使包含氨和含氟气体的第一气体流过等离子体以形成等离子体流出物；

使所述等离子体流出物流过腔室的第一部分；

在腔室的第二部分中混合包含氨的第二气体与所述等离子体流出物以形成第一混合物；

在所述腔室的第三部分中使所述第一混合物流到基板；

使所述第一混合物与所述基板反应以相对于硅层选择性蚀刻氧化硅层；

形成第二混合物，所述第二混合物包含来自所述第一混合物与所述基板反应的产物；以及

使所述第二混合物流过所述腔室的第四部分以离开所述腔室，其中：

所述腔室的所述第一部分不包含镀镍材料，

所述腔室的所述第二部分、所述第三部分和所述第四部分包含镀镍材料，

所述腔室的所述第三部分在10Torr或更低的压力下，

使所述第一混合物与所述基板反应包含蚀刻小于1埃的所述硅层以及大于50埃的所述氧化硅层，

所述第一混合物在所述腔室中的从所述第二部分到所述第四部分的路径中流动，并且

所述路径由所述腔室的镀镍部件限定。