[发明专利]包含聚碳硅烷的碳化硅质膜形成组合物、以及使用了其的碳化硅质膜的制造方法

说明书

[问题]本发明提供一种包含聚碳硅烷的组合物，其埋入性优异，可在更低温进行成膜，且使制造出的膜的电特性优异。[解决方案]一种碳化硅质膜形成组合物，其包含聚碳硅烷以及溶剂，前述聚碳硅烷的¹H‑NMR光谱中的3.92～4.20ppm的累积强度相对于3.60～5.50ppm的累积强度的比率为27～50％。

技术领域

本发明涉及包含聚碳硅烷(polycarbosilane)的碳化硅(silicon carbonaceous)质膜形成组合物。另外，本发明涉及通过使用该碳化 硅质膜形成组合物而得到的固化膜以及具有该固化膜的器件 (device)的制造方法、以及聚碳硅烷的制造方法。

背景技术

在电子器件尤其是半导体器件的领域，缓慢地推进了器件规 则(device rule)的微细化，组入于器件中的将各器件间进行分离的绝 缘结构等的尺寸也要求微细化。在这样的绝缘结构中形成层间绝 缘膜，对于绝缘膜，人们要求其具有平整性、绝缘特性等各种各样的特性。作为更简易地形成绝缘膜的方法，有人提出了使用了 包括有机材料以及无机材料在内的各种各样的涂布系材料的形成 方法。其中之一是包含聚碳硅烷的组合物。通过将聚碳硅烷进行 热处理而获得的碳化硅质材料的耐热性优异，不但用作绝缘膜， 而且也用作蚀刻终止膜、硬质掩膜。

随着绝缘结构的微细化的推进，人们要求开发出一种材料， 其相对于凹凸结构的埋入性进一步良好，可实现全面的(global)平 整化。另外，考虑到对器件造成的影响，也要求开发出一种材料， 其可在更低温进行成膜，且制造出的膜的电特性优异。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开1995-118007号公报

专利文献2：日本特开2008-210929号公报

发明内容

用于解决课题的方案

本发明基于上述那样的情形而完成，提供一种包含聚碳硅烷 的组合物，其埋入性优异，可在更低温进行成膜，且使制造出的 膜的电特性优异。

本发明的组合物的特征在于，其为包含聚碳硅烷以及溶剂的 碳化硅质膜形成组合物，聚碳硅烷的¹H-NMR光谱中的3.92～ 4.20ppm的累积强度(integrated intensity)相对于3.60～5.50ppm的 累积强度的比率为27～50％。

另外，本发明的碳化硅质膜的制造方法的特征在于，其包含 如下的工序：将上述的组合物涂布于基材，利用加热进行固化。

另外，本发明的电子器件的制造方法的特征在于，其包含上 述的碳化硅质膜的制造方法。

另外，本发明的聚碳硅烷的制造方法的特征在于，包含如下 的工序：将聚二甲基硅烷在0.15～0.9MPa、700℃以上的条件下进 行热处理。

发明的效果

本发明提供埋入性优异的碳化硅质膜形成组合物。通过使用 此组合物，可制造相比于以前而言在更低温显现优异的电特性的 碳化硅质膜。

附图说明

图1：本发明的聚碳硅烷的¹H-NMR光谱

图2：本发明的聚碳硅烷的²⁹Si-NMR光谱

图3：本发明的聚碳硅烷的DEPT²⁹Si-NMR光谱

具体实施方式

以下对本发明的实施方式进行详细说明。