[发明专利]银纳米线的制造方法以及银纳米线、银纳米线墨及透明导电膜

权利要求书

1.银纳米线的制造方法，其具有在溶解有银化合物、有机保护剂的醇溶剂中使银还原析出为线状的工序，其特征在于，

使用具有乙烯基吡咯烷酮结构单元的聚合物作为所述有机保护剂，

设为使烷基醚以0.3～25.0mmol/L的浓度溶解于所述醇溶剂中的状态，在该液体中进行所述还原析出。

2.权利要求1所述的银纳米线的制造方法，其中，还原析出平均长度15μm以上、平均直径35nm以下、且用下述(1)式定义的平均长径比A_M为800以上的银纳米线，

A_M＝L_M/D_M…(1)

其中，L_M为用nm单位表示上述平均长度的值，D_M为用nm单位表示上述平均直径的值。

3.权利要求1所述的银纳米线的制造方法，其中，所述烷基醚为甲基叔丁基醚。

4.权利要求1所述的银纳米线的制造方法，其中，所述聚合物为PVP(聚乙烯基吡咯烷酮)、或乙烯基吡咯烷酮和亲水性单体的共聚物。

5.权利要求1所述的银纳米线的制造方法，其中，所述聚合物具有乙烯基吡咯烷酮和选自二烯丙基二甲基铵盐、丙烯酸乙酯、丙烯酸2-羟基乙酯、甲基丙烯酸2-羟基乙酯、丙烯酸4-羟基丁酯、N-甲基马来酰亚胺、N-乙基马来酰亚胺、N-丙基马来酰亚胺、N-叔丁基马来酰亚胺、甲基丙烯酸2-二甲基氨基乙酯和甲基丙烯酸2-二乙基氨基乙酯中的1种或2种以上的单体的聚合组成。

6.权利要求1所述的银纳米线的制造方法，其中，所述聚合物的重均分子量Mw为30,000～300,000。

7.银纳米线，其通过权利要求1所述的制造方法而得到。

8.银纳米线墨，其中，通过权利要求1所述的制造方法而得到的银纳米线分散于液态介质中。

9.透明导电膜，其含有通过权利要求1所述的制造方法而得到的银纳米线作为导电材料。