[发明专利]制造多晶硅的闪光灯退火方法

权利要求书

1.一种制造多晶硅的方法，包括：

在合适的基材的至少一部分上沉积无定形硅以在基材上产生至少一个无定形硅超级台面，所述基材的应变点为650℃至800℃；

对基材上的所述至少一个无定形硅超级台面进行脱氢；

对基材上的超级台面进行图案化以产生图案化的基材；

在无定形硅上沉积氧化物覆盖层以形成覆盖的图案化基材；

在低于无定形硅的本征固相结晶温度下加热覆盖的图案化基材；以及

利用氙灯，在550至700V的电压和合适的脉冲持续时间下，对得到的经加热的覆盖的图案化基材进行闪光灯退火，同时继续在525℃至550℃下加热，以产生具有至少一个超级台面并且所述超级台面具有超尺寸晶粒的多晶硅。

2.如权利要求1所述的方法，其中，合适的脉冲持续时间是150微秒至300微秒。

3.如权利要求1或2所述的方法，还包括：

从超尺寸晶粒移除台面。

4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，移除台面通过切割、蚀刻、烧蚀或其组合完成，并且被移除的台面的尺寸是适于晶体管制品的任何尺寸。

5.如前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：

形成晶粒方向与电流方向平行的晶体管。

6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，多晶硅具有边缘定向的晶体生长。

7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，对超级台面进行图案化包括掩模和蚀刻，包括光刻法组合水性蚀刻或等离子体蚀刻。

8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述基材选自以下中的至少一种：玻璃片、卷至卷玻璃、片至片玻璃、玻璃陶瓷片或其组合。

9.一种传导装置，包括：

在玻璃基材上的至少两个硅晶粒；并且

所述装置的电子迁移率大于300cm²/伏秒，空穴迁移率为100cm²/伏秒，并且25℃的亚阈值摆幅小于150mV/十进位。

10.如权利要求9所述的装置，其中，电子迁移率为350至450cm²/伏秒，且25℃的亚阈值摆幅为60至100mV/十进位。

11.如权利要求9或10所述的装置，其中，所述装置被包括在以下中的至少一种中或选自以下中的至少一种：MOSFET、二极管、电容器及其组合。

12.一种制造装置的方法，包括：

将如权利要求9-11中任一项所述的至少一个装置包含到另一个装置或平台中。

13.一种装置，其包括：

如权利要求9-11中任一项所述的至少一个传导装置。