[发明专利]具有非玻璃芯体和玻璃包封物的层压制品及其方法

权利要求书

1.一种层压片制品，包括：

芯体层，其包含电半导体或电导体；和

玻璃包覆层包封物，其在截面中包围芯体的主面和至少两个边缘。

2.如权利要求1所述的制品，其中，芯体层和包覆层的热膨胀系数(CTE)之差小于±5 x10^-7/℃。

3.如权利要求1所述的制品，其中，玻璃包覆层的主面的外部是原始的。

4.如权利要求1所述的制品，其中：

芯体层是以下中的至少一种：Si、Ge、GaAs或其混合物，并且熔体粘度为0.01泊至100泊；并且

包围芯体的玻璃包覆层包含熔体粘度为30,000泊至400,000泊且CTE可与芯体材料相容的玻璃。

5.如权利要求1所述的制品，其中：

芯体层的厚度为0.1微米至100毫米，并且宽度为0.09微米至9.99米；并且

包围芯体的玻璃包覆层的层厚度为0.1微米至1,000微米，并且层宽度为0.1mm至10米。

6.一种层压片制品，包括：

玻璃芯体，其包含卤化物玻璃、卤氧化物玻璃、硫系化合物玻璃或其混合物；和

在所述片制品的芯体的各主面和至少两个端部或边缘上的包封的玻璃包覆层。

7.如权利要求6所述的制品，其中，玻璃芯体和包封的玻璃包覆层的熔点差是0℃至约400℃。

8.一种制造如权利要求6所述的制品的层压设备，包括：

挤出芯体层片的第一坩埚；和

包围第一坩埚的第二坩埚，其将玻璃包封层输送至芯体层片的各个面和至少两个边缘以生产层压片制品，

其中，第一坩埚和第二坩埚中的至少一者或两者的相对高度相对于另一坩埚是垂直可调的。

9.如权利要求8所述的层压设备，其中，第一坩埚和第二坩埚中的至少一者或两者的相对高度的垂直可调性调节芯体层的相对流量和相对厚度、宽度或者相对流量和相对厚度及宽度，以及玻璃包封层的相对流量和相对厚度。

10.如权利要求8所述的层压设备，其中，第一坩埚、第二坩埚或者第一坩埚和第二坩埚包含铂；并且其中，第一坩埚、第二坩埚或者第一坩埚和第二坩埚包含侵蚀保护性石英表面涂层。

11.如权利要求8所述的层压设备，其还包括冷却棒、冷却辊、冷却流体射流或它们的组合，其位于所得到的层压片制品的一个或两个主面上。

12.一种制造连续层压片的方法，所述连续层压片包括：芯体，其包含以下中的至少一种：电半导体材料、电导体材料或其组合；以及包覆层，其包含包围所述芯体的六侧中的至少四侧的玻璃；所述方法包括：

连续狭缝挤出芯体片，并且同时

将玻璃包覆层连续地熔合拉制到芯体片的六侧中的至少四侧上，包括两个主侧，以生产具有包封结构的连续层压片。

13.如权利要求12所述的方法，其还包括：

对连续层压片进行区域澄清以增强芯体的结晶性。

14.如权利要求12所述的方法，其还包括：

将连续层压片卷绕成卷，或者将连续层压片切割成单独的片。

15.如权利要求12所述的方法，其中，狭缝挤出在真空中、在惰性气氛中、在正压下或它们的组合中完成。

16.如权利要求12所述的方法，其中：

芯体包含以下中的至少一种：Si、Ge、GaAs或其混合物，并且粘度为0.01厘泊至5,000厘泊；并且

包围芯体的玻璃包覆层的粘度为30,000泊至400,000泊，且CTE可与芯体材料相容。