[发明专利]用于生产密封光半导体装置的方法

说明书

提供了一种用于生产密封光半导体装置的方法，所述方法使得可能使用密封膜以简单且高度可靠的方式密封光半导体元件。所述方法包括以下步骤：其中在减压室内将密封膜放置在其上放置光半导体元件的光半导体元件基板上，并降低所述减压室内的压力的步骤；其中加热所述密封膜并且使所述密封膜的至少周边热熔合到所述光半导体元件置放基板的表面的步骤；以及其中释放所述减压室内的减压并且通过所述密封膜密封所述光半导体元件置放基板的步骤。当释放所述减压室内的减压时所述光半导体元件置放基板的温度T₂为所述密封膜展现了0.02‑0.15MPa的拉伸强度以及150％‑450％的断裂伸长率的温度。

技术领域

本发明涉及一种用于使用密封膜生产密封光半导体装置的方法。

本申请要求基于2017年9月8日在日本提交的专利申请号2017-172928的优先权，将所述申请的内容通过援引并入本文。

背景技术

在其上安装光半导体元件如光电耦合器、发光二极管或固态成像装置的光半导体装置中，使用密封剂密封光半导体元件，以改善光半导体元件的可靠性。用于密封光半导体装置的已知方法包括使用密封膜的密封方法。

例如，专利文献1公开了一种用于通过以下方式生产LED装置的方法：在基板上安装至少一个LED元件；在上述LED元件上设置具有第一表面和第二表面的预定形状的层压层，第一表面包括支撑在基膜上的粘合剂和磷光体颗粒；将层压层加热至第一温度，以软化层压层并在层压层与围绕LED元件的基板之间形成气密密封部；然后，在去除基膜后，将层压层在减压下加热至第二温度，以去除层压层与基板之间的空气；并且随后，通过返回到大气压的方式而将层压层压靠在基板上，使覆盖LED元件的层压层成形。

专利文献2公开了一种真空层压方法，所述方法包括加热具有预定形状的层压层的中心部分以产生可流动状态的单个加热步骤，之后已经放置在基板晶片的第一表面的内部部分的制品如发光二极管阵列共形地涂覆有上述层压层，并且包括布置层压层的中心部分的步骤，所述中心部分已经被加热以产生可流动状态，以便经由由气密密封部(其由上述层压层的边缘部分和第一表面的外部部分形成)以及上述层压层和上述第一表面构成的气密密封内部区域与第一表面的上述内部部分间隔开。

专利文献3公开了一种用于生产密封光半导体元件的方法，其特征在于，包括：制备密封片材的密封片材制备步骤，所述密封片材是包括密封层的密封片材，并用于密封光半导体元件，其中通过在1Hz的频率和10℃/min的升温速率的条件下测量上述密封层的动态粘弹性获得的示出温度T与储能剪切模量G’之间的关系的曲线具有最小值，并且在上述最小值处的温度T不小于60℃且不超过200℃，并且此外，在上述最小值处的储能剪切模量G’是不小于5Pa且不超过1000Pa；制备设置在基板上的光半导体元件的元件制备步骤；以及在不小于60℃且不超过200℃的温度下将上述密封片材热压靠在上述光半导体元件上的热压步骤。

专利文献4公开了一种用于生产粘附性光半导体元件的方法，其特征在于，包括：制备粘附性片材的粘附性片材制备步骤，所述粘附性片材是包括粘附性层的粘附性片材，并用于直接地或间接地粘附到光半导体元件，其中通过在1Hz的频率和20℃/min的升温速率的条件下测量上述粘附性层的动态粘弹性获得的示出温度T与储能剪切模量G’之间的关系的曲线具有最小值，并且在上述最小值处的温度T不小于40℃且不超过200℃，并且此外，在上述最小值处的储能剪切模量G’是不小于1000Pa且不超过90,000Pa；制备设置在基板上的光半导体元件的元件制备步骤；以及在不小于40℃且不超过200℃的温度下将上述粘附性片材直接地或间接地热压靠在光半导体元件上的热压步骤。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：WO 2012/023119

专利文献2：WO 2016/065016

专利文献3：JP 2016-171314 A