[发明专利]氧化铝烧结体及其制造方法、以及半导体制造装置用部件

权利要求书

1.一种氧化铝烧结体，其含有按氧化物换算为0.01～1.0质量％的选自Ta、Nb和V中的一种以上，且以NaMO₃的形式含有Na，其中，M为V、Nb、Ta中的任一者，将所述氧化铝烧结体中所含的Na氧化物的量设为OX_Na、将所述氧化铝烧结体中所含的选自Ta、Nb和V中的一种以上的氧化物的量设为OX₀时，OX_Na/OX₀的值为0.20以下，所述OX_Na和OX₀的单位为质量％。

2.根据权利要求1所述的氧化铝烧结体，其进一步含有按氧化物换算为0.01～1.0质量％的Mg。

3.根据权利要求1或2所述的氧化铝烧结体，其中，氧化铝纯度为99％以上。

4.一种氧化铝烧结体的制造方法，其是制造权利要求1～3中任一项所述的氧化铝烧结体的方法，其中，将氧化铝以及选自Ta、Nb和V中的一种以上的原料粉末混合，造粒、成形后，在大气中以1575～1675℃的温度进行烧结。

5.一种半导体制造装置用部件，其使用权利要求1～3中任一项所述的氧化铝烧结体。