[发明专利]存储器寻址有效
| 申请号: | 201880049529.9 | 申请日: | 2018-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN110998550B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
| 发明(设计)人: | J·M·哈斯韦尔 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | G06F12/1009 | 分类号: | G06F12/1009;G06F12/02 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储器 寻址 | ||
用于存储器寻址的示范性设备可以包含存储器单元阵列。所述设备可以包含存储器缓存,其被配置成存储地址映射表的至少一部分。所述地址映射表可以包含与所述阵列的相应量的逻辑地址空间相对应的多个区域。所述地址映射表可以将转换单元TU映射到所述阵列中的物理位置。所述多个区域中的每一个可以包含第一表。所述第一表可以包含与所述相应量的逻辑地址空间的相应TU逻辑地址、相应指针和相应偏移相对应的条目。所述多个区域中的每一个可以包含第二表。所述第二表可以包含与所述阵列的相应物理地址范围相对应的条目。所述第二表的所述条目可以包含相应物理地址字段和对应的相应计数字段。
技术领域
本公开总体上涉及半导体存储器和方法,更具体地涉及存储器寻址。
背景技术
存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部、半导体、集成电路和/或外部可移除装置。存在许多不同类型的存储器,包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维护其数据,并且可以包含随机访问存储器(RAM)、动态随机访问存储器(DRAM)和同步动态随机访问存储器(SDRAM)等。非易失性存储器在没有电力供应时可以保留存储的数据,并且可以包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、相变随机访问存储器(PCRAM)、电阻式随机访问存储器(RRAM)和磁性随机访问存储器(MRAM)等。
可以将存储器装置组合在一起以形成固态驱动器(SSD)。SSD可以包含非易失性存储器(例如,NAND快闪存储器和/或NOR快闪存储器),和/或可以包含易失性存储器(例如,DRAM和/或SRAM),以及各种其它类型的非易失性和易失性存储器。快闪存储器装置例如可以包含以电荷存储结构(例如,浮栅)存储数据的存储器单元,并且可以用作用于广泛电子应用范围的非易失性存储器。快闪存储器装置通常使用单晶体管存储器单元,从而实现高存储器密度、高可靠性和低电力消耗。
快闪存储器装置可以用作用于广泛电子应用范围的易失性和非易失性存储器。快闪存储器装置通常使用单晶体管存储器单元,从而实现高存储器密度、高可靠性和低电力消耗。快闪存储器装置通常可以具有“NAND”或“NOR”存储器阵列架构,因此被称为逻辑形式,其中每个存储器装置的基本存储器单元配置被布置为逻辑形式。快闪存储器的用途包含用于固态驱动器(SSD)、个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、蜂窝电话、便携式音乐播放器(例如,MP3播放器)和电影播放器以及其它电子装置的存储器。数据(例如,程序代码)、用户数据和/或系统数据(例如,基本输入/输出系统(BIOS))通常存储在快闪存储器装置中。
快闪存储器装置可以包含快闪过渡层(FTL)。可以使用FTL(例如,在快闪存储器装置上执行的编程操作期间)将与数据条目相关联的逻辑地址映射到快闪存储器中的物理地址。FTL可以在快闪存储器装置的本地存储器中包含地址映射表以执行映射操作。然而,在先前的FTL方法中使用的地址映射表的大小(例如,存储在其中的数据的量)可能是固定的,并且更难扩展。因为在先前的FTL方法中使用的地址映射表的大小可能是固定的,所以在先前的FTL方法中使用的地址映射表可能不适用于不同类型的快闪存储器装置。也就是说,先前的FTL方法可能只在一种类型的快闪存储器装置中使用。进一步地,随着物理地存储数据的存储器的大小增加,地址映射表可能增加到变得难以管理的大小。
附图说明
图1示出了根据本公开的多个实施例的具有多个物理块的存储器阵列的一部分的图。
图2是根据本公开的多个实施例的呈包括存储器系统的计算系统形式的设备的框图。
图3A示出了呈主机和存储器阵列形式的设备的框图。
图3B示出了根据本公开的多个实施例的地址映射表的框图。
图4示出了根据本公开的多个实施例的地址映射表的框图。
图5示出了根据本公开的多个实施例的用于存储器寻址的方法的框图。
具体实施方式
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