[发明专利]减少光纤中的光致损耗

权利要求书

1.一种超连续谱光源，包括：

泵浦源；以及

超连续谱发生器，其被配置用于接收来自泵浦源的电磁辐射并用于产生超连续谱辐射，所述超连续谱发生器包括具有包含二氧化硅的氢和/或氘加载的纤芯区域的无源非线性微结构光纤，

其中所述微结构光纤的纤芯区域的至少一部分共掺杂有铝和氟，其中铝减少所述非线性微结构光纤中的光致非桥氧空穴中心损耗，以及氟补偿至少部分的将由铝的存在而引起的折射率的变化。

2.根据权利要求1所述的超连续谱光源，其中，在掺杂区域中提供铝，以及其中，所述掺杂区域中的铝原子数大于所述掺杂区域中硅原子数的0.05％。

3.根据权利要求2所述的超连续谱光源，其中，所述掺杂区域中的铝原子数大于所述掺杂区域中硅原子数的0.1％。

4.根据权利要求2所述的超连续谱光源，其中，所述掺杂区域中的铝原子数大于所述掺杂区域中硅原子数的1％。

5.根据权利要求2所述的超连续谱光源，其中，所述掺杂区域中的铝原子数大于所述掺杂区域中硅原子数的3％。

6.根据权利要求2所述的超连续谱光源，其中，所述掺杂区域中的铝原子数大于所述掺杂区域中硅原子数的8％。

7.根据权利要求2所述的超连续谱光源，其中，所述掺杂区域中的铝原子数大于所述掺杂区域中硅原子数的20％。

8.根据权利要求1所述的超连续谱光源，其中，所述纤芯区域包括第一纵向延伸区域和第二纵向延伸区域，其中，所述第一纵向延伸区域包括铝，以及所述第二纵向延伸区域包括氟。

9.根据权利要求8所述的超连续谱光源，其中所述第二纵向延伸区域掺杂有氟，但不掺杂铝。

10.根据权利要求8或9所述的超连续谱光源，其中，所述第二纵向延伸区域围绕所述第一纵向延伸区域布置。

11.根据权利要求10所述的超连续谱光源，其中，所述第二纵向延伸区域具有环形横截面。

12.根据权利要求8所述的超连续谱光源，其中，所述第二纵向延伸区域包括多个不同的纵向延伸区域，所述纵向延伸区域的每一个具有圆形的横截面。

13.根据权利要求8所述的超连续谱光源，其中，第一纵向延伸部分具有圆形的横截面。

14.根据权利要求8所述的超连续谱光源，其中，所述第一纵向延伸区域和第二纵向延伸区域被配置为使得所述纤芯区域具有期望的平均折射率。

15.根据权利要求14所述的超连续谱光源，其中所述期望的平均折射率等于二氧化硅的折射率。

16.根据权利要求1所述的超连续谱光源，其中，氢和/或氘的浓度大于十亿分之一。

17.根据权利要求1所述的超连续谱光源，其中，氢和/或氘的浓度大于十亿分之十。

18.根据权利要求1所述的超连续谱光源，其中，氢和/或氘的浓度大于十亿分之一百。

19.根据权利要求1所述的超连续谱光源，其中，氢和/或氘的浓度大于百万分之一。

20.根据权利要求1所述的超连续谱光源，其中，氢和/或氘的浓度大于百万分之一百。

21.根据权利要求1所述的超连续谱光源，其中，氢和/或氘的浓度大于百万分之一千。