[发明专利]利用离子植入的极紫外光光致抗蚀剂的效能改善

权利要求书

1.一种对衬底进行图案化的方法，包括：

在所述衬底上提供毯覆式光致抗蚀剂层；

向所述毯覆式光致抗蚀剂层中执行植入物质的离子植入程序，所述植入物质在极紫外光(EUV)范围中的波长下包括增强的吸收效率；以及

在所述执行所述离子植入程序之后，执行图案化曝光，以将所述毯覆式光致抗蚀剂层曝光于极紫外光辐射。

2.根据权利要求1所述的对衬底进行图案化的方法，其中所述植入物质是Xe或Sn。

3.根据权利要求1所述的对衬底进行图案化的方法，其中所述执行所述离子植入程序包括所述植入物质在所述毯覆式光致抗蚀剂层的外表面下产生以深度为函数的浓度峰值。

4.根据权利要求1所述的对衬底进行图案化的方法，其中所述植入物质在室温下包括气态物质。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述植入物质在所述毯覆式光致抗蚀剂层的外表面下以深度为函数的浓度在至少5nm的深度内增加。

6.根据权利要求1所述的对衬底进行图案化的方法，其中所述离子植入程序包括向所述毯覆式光致抗蚀剂层中执行多次离子植入，以产生不均匀深度分布。

7.根据权利要求1所述的对衬底进行图案化的方法，其中所述图案化曝光是在所述离子植入之后不到5小时而执行。

8.根据权利要求1所述的对衬底进行图案化的方法，其中所述极紫外光范围中的所述波长是13.5nm。

9.一种增强光致抗蚀剂层的方法，包括：

将所述光致抗蚀剂层作为毯覆式光致抗蚀剂层施加在衬底上；以及

在对所述毯覆式光致抗蚀剂层进行图案化之前，向所述毯覆式光致抗蚀剂层中执行植入物质的离子植入程序，所述植入物质在极紫外光(EUV)范围中的波长下包括增强的吸收效率，所述增强的吸收效率大于2×10⁶cm²/mol。

10.根据权利要求9所述的增强光致抗蚀剂层的方法，其中所述离子植入程序包括多个离子植入程序，其中植入深度在所述多个植入程序之间变化。

11.根据权利要求10所述的增强光致抗蚀剂层的方法，其中所述多个植入程序在所述毯覆式光致抗蚀剂层中产生以深度为函数的所述植入物质的不均匀深度分布，其中所述植入物质的浓度在所述毯覆式光致抗蚀剂层内以深度为函数增加。

12.根据权利要求9所述的增强光致抗蚀剂层的方法，其中所述植入物质的植入能量小于1000eV，且相对于所述衬底的平面的法线，所述植入物质的入射角大于30度。

13.根据权利要求9所述的增强光致抗蚀剂层的方法，其中所述毯覆式光致抗蚀剂层包括含有金属氧化物颗粒的金属氧化物光致抗蚀剂。

14.一种改善光致抗蚀剂层的图案化的方法，包括：

在衬底上提供底层；

向所述底层中执行植入物质的离子植入程序，所述植入物质在极紫外光(EUV)范围中的波长下包括增强的吸收效率，所述增强的吸收效率大于2×10⁶cm²/mol；

将所述光致抗蚀剂层作为毯覆式光致抗蚀剂层施加在所述底层上；以及

通过曝光于极紫外光辐射来对所述毯覆式光致抗蚀剂层进行图案化。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述植入物质被植入到所述底层的顶表面附近的顶部区中。