[发明专利]接合方法有效
申请号: | 201880048026.X | 申请日: | 2018-07-04 |
公开(公告)号: | CN110944843B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 三原辉仪;桥本富仁;中田裕辅;仓泽元树 | 申请(专利权)人: | 马瑞利株式会社 |
主分类号: | B32B37/00 | 分类号: | B32B37/00;B32B7/025;B32B9/00;C25D2/00;H01M8/02;H01M8/12;H01M8/24 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 郭放;许伟群 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 方法 | ||
1.一种接合方法,其特征在于,包括:
配置工序,将氧离子传导体和要与该氧离子传导体相接合的被接合件以两者相接触的方式配置;
连接工序,将所述氧离子传导体连接到电压施加装置的负极侧,并且将所述被接合件连接到所述电压施加装置的正极侧;以及
电压施加工序,在所述氧离子传导体和所述被接合件之间施加电压,在施加电压时抵接面彼此接近至原子间距离而在所述氧离子传导体和所述被接合件的界面进行共价键键合,
所述被接合件具有电子传导性,所述电压施加工序在温度条件300℃以上且500℃以下、电压50V以上且500V以下的范围内进行。
2.根据权利要求1所述的接合方法,其中,
所述被接合件由金属、N型半导体、或者在接合时的温度下具有电子传导性的本征半导体中的任一种构成。
3.根据权利要求1所述的接合方法,其中,
所述被接合件由电子能够在其厚度方向上穿过的绝缘膜构成。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的接合方法,其中,
所述氧离子传导体为氧化物离子传导体。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的接合方法,其中,
在所述配置工序中,两个被接合件以与所述氧离子传导体相接触的方式配置,
所述电压施加工序包括:第一电压施加工序,在所述两个被接合件之间施加第一极性的电压;以及第二电压施加工序,在所述两个被接合件之间施加与所述第一极性相反的第二极性的电压。
6.根据权利要求5所述的接合方法,其中,
所述被接合件为配管,
在所述配置工序中,两个所述配管以经由由所述氧离子传导体构成的衬垫来相互连接的方式配置。
7.根据权利要求1~3中任一项所述的接合方法,其中,
所述被接合件为具有可挠性的金属带材料,该金属带材料以及由设置在该金属带材料的一侧表面的所述氧离子传导体形成的薄膜构成接合密封用带,
在所述配置工序中,在连接部处连接两个配管之后,将所述接合密封用带以至少一部分重合的方式缠绕于所述连接部。
8.根据权利要求5所述的接合方法,其中,
所述氧离子传导体具有:固体电解质层、配置在所述固体电解质层的一侧表面的阳极部件、以及配置在所述固体电解质层的另一侧表面的阴极部件,
所述被接合件为隔膜,
所述配置工序以多个所述氧离子传导体和多个所述隔膜交替层叠的方式进行。
9.根据权利要求8所述的接合方法,其中,
所述阳极部件及所述阴极部件分别具有多个孔部,
所述配置工序以所述隔膜在所述多个孔部的各个中与所述固体电解质层接触的方式进行。
10.根据权利要求1~3中任一项所述的接合方法,其中,
所述电压施加工序为施加直流电压的工序,
还包括在所述氧离子传导体和所述被接合件之间施加交流电压的交流电压施加工序。
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