[发明专利]固态摄像装置有效
申请号: | 201880047687.0 | 申请日: | 2018-06-21 |
公开(公告)号: | CN110914993B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 高桥洋;中邑良一;前田英训 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N25/40;H04N25/70;H04N25/76 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 装置 | ||
[问题]本发明提供了一种在层叠的芯片的尺寸和布局方面具有更高自由度的固态摄像装置。[解决方案]根据本发明的固态摄像装置包括:第一基板,在所述第一基板中在一个主表面上形成有像素部,所述像素部中布置有像素;第二基板,所述第二基板接合至所述第一基板的与所述一个主表面相对的表面,并且在与所述第一基板接合的表面相反侧的表面的局部区域中设置有开口;以及至少一个子芯片,所述子芯片设置在所述开口内而不从所述开口突出,并且在所述子芯片中形成有具有预定功能的电路。
技术领域
本发明涉及固态摄像装置。
背景技术
作为层叠有多个芯片的半导体设备,例如,诸如CMOS图像传感器等放大固态摄像装置和多层层叠存储装置是已知的。这些层叠半导体装置通过在膜厚度方向上层叠具有不同功能的芯片并经由填充有金属材料的通孔将所述芯片电连接来实现。
作为层叠芯片的方法,例如,已经开发了用于接合其上形成有芯片的晶片的方法。
例如,下面的专利文献1公开了一种层叠固态摄像装置,该层叠固态摄像装置通过接合其上形成有芯片的晶片并随后使用背面研磨(backgrinding)共同抛光所述晶片以使其变薄而获得。
引用列表
专利文献
专利文献1:JP 2014-099582 A
发明内容
技术问题
然而,在将形成有不同平面面积的芯片的晶片层叠在一起的情况下,能够形成在晶片上的芯片的数量和布局受到形成有最大平面面积的芯片的晶片的限制。
因此,本公开提出了一种新颖且改进的固态摄像装置,其能够进一步增加待层叠的芯片的尺寸和布局的自由度。
技术问题的解决方案
根据本公开,提供了一种固态摄像装置,该固态摄像装置包括:第一基板,其具有一个主表面,在所述主表面上形成有布置有像素的像素部;第二基板,其接合至所述第一基板的与所述一个主表面相对的表面,并且在所述第二基板中,在与所述第一基板接合的表面相对的表面的局部区域中设置有开口;至少一个子芯片,所述子芯片设置在所述开口内而不从所述开口突出,并且在所述子芯片中形成有具有预定功能的电路。
根据本公开,设置有开口的基板接合到其上形成有像素部的基板。因此,设置有开口的基板能够用作支撑件,并且能够通过所述开口将子芯片与基板内部的电路电连接。
本发明的有益效果
如上所述,本公开能够提供一种具有待层叠的芯片的尺寸和布局的自由度更高的固态摄像装置。
上述效果不一定是限制性的,并且本文说明的任何效果或可以从说明书中理解的其它效果可以与上述效果一起呈现,或代替上述效果。
附图说明
图1是用于示意性地描述根据本公开的一个实施例的固态摄像装置的构造的垂直截面图。
图2是用于描述根据实施例的制造固态摄像装置的方法的概要的示意图。
图3A是用于描述根据实施例的制造固态摄像装置的方法中的一个步骤的示意性垂直截面图。
图3B是用于描述根据实施例的制造固态摄像装置的方法中的一个步骤的示意性垂直截面图。
图3C是用于描述根据实施例的制造固态摄像装置的方法中的一个步骤的示意性垂直截面图。
图3D是用于描述根据实施例的制造固态摄像装置的方法中的一个步骤的示意性垂直截面图。
图3E是用于描述根据实施例的制造固态摄像装置的方法中的一个步骤的示意性垂直截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的