[发明专利]裸片寻址在审
申请号: | 201880047584.4 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN110892386A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | J·M·哈斯韦尔 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F12/1009 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 寻址 | ||
本发明涉及一种用于裸片寻址的实例设备,其可包含存储器胞的阵列及存储器高速缓冲存储器。所述存储器高速缓冲存储器可经配置以存储地址映射表的至少一部分。所述地址映射表可包含将翻译单元TU映射至所述阵列中的物理位置的条目。所述条目可包含指示所述阵列内的存储特定TU的位置的数据,而不包含指示所述TU存储于所述阵列的哪一裸片中的数据。
技术领域
本发明大体上涉及半导体存储器及方法,且更特定地说,涉及裸片寻址。
背景技术
存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可装卸装置。存在诸多不同类型的存储器,包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力以保持其数据,且可包含随机存取存储器(random-access memory;RAM)、动态随机存取存储器(dynamic random access memory;DRAM)及同步动态随机存取存储器(synchronous dynamic random access memory;SDRAM)等等。非易失性存储器可在未供电时保存存储的数据,且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、相变随机存取存储器(phase change random access memory;PCRAM)、电阻性随机存取存储器(resistiverandom access memory;RRAM)及磁性随机存取存储器(magnetic random access memory;MRAM)等等。
存储器装置可被合并在一起以形成固态驱动器(solid state drive;SSD)。在各种其它类型的非易失性及易失性存储器当中,SSD可包含非易失性存储器(例如NAND快闪存储器及/或NOR快闪存储器),及/或可包含易失性存储器(例如DRAM及/或SRAM)。快闪存储器装置可包含例如在例如浮栅的电荷存储结构中存储数据的存储器胞,且可用作用于各种电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常使用单晶体管存储器胞,其允许高存储器密度、高可靠性及低电力消耗。
快闪存储器装置可用作用于各种电子应用的易失性及非易失性存储器。快闪存储器装置通常使用单晶体管存储器胞,其允许高存储器密度、高可靠性及低电力消耗。快闪存储器装置通常可具有“NAND”或“NOR”存储器阵列架构,因此需要其中布置各基本存储器胞配置的逻辑形式。快闪存储器的用途包含用于固态驱动器(SSD)、个人计算机、个人数字助理(personal digital assistant;PDA)、数字相机、蜂窝电话、便携式音乐播放器(例如MP3播放器)及电影播放器以及其它电子装置的存储器。数据,例如程序代码、用户数据及/或系统数据,例如基本输入/输出系统(basic input/output system;BIOS),通常存储于快闪存储器装置中。
快闪存储器装置可包含快闪转变层(FTL),其可使用(例如在快闪存储器元件上执行的编程操作期间)以将逻辑地址映射至快闪存储器中的物理地址(例如经由逻辑至物理(logical to physical;L2P)表)。然而,先前FTL方法中使用的地址映射表的大小(例如其中存储的数据的量)可为固定的,且随待映射存储器(例如非易失性存储阵列,NAND)的大小变得更大而变得非常大。主存储器(例如在DRAM中)可为昂贵的,且空间可为受限的。如同先前方法,固定、较大地址映射表可能难以容纳已受限量的存储器(例如非易失性存储阵列,NAND)空间。地址映射表越大,越难容纳地址映射表的一部分至高速缓冲存储器中而不影响高速缓冲存储命中速率。另外,随着FTL映射的存储器的大小增加,地址映射表的大小可升高至难以管理的大小。
附图说明
图1绘示根据本发明的数个实施例的具有数个物理块的存储器阵列的一部分的图式。
图2是根据本发明的数个实施例的呈包括存储器系统的计算系统的形式的设备的框图。
图3绘示根据本发明的数个实施例的存储器系统的图式。
图4绘示根据本发明的数个实施例的存储器系统的图式。
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