[发明专利]基板的研磨方法及研磨用组合物套组

说明书

本发明提供可有效达成高平坦度且低缺陷的表面的基板研磨方法。根据本发明所提供的基板研磨方法，在基板的预研磨工序中，包含依照顺序供给第1研磨液、第2研磨液与第3研磨液所进行的多个预研磨阶段。第1研磨液所含的水溶性高分子P₁的含量COM_P1、第2研磨液所含的水溶性高分子P₂的含量COM_P2、与第3研磨液所含的水溶性高分子P₃的含量COM_P3的关满足COM_P1COM_P2COM_P3，且满足以下任一项：(1)第3研磨液所含的磨粒A₃的平均一次粒径D_A3小于第1研磨液所含的磨粒A₁的平均一次粒径D_A1及第2研磨液所含的磨粒A₂的平均一次粒径D_A2，及(2)第3研磨液不含磨粒A₃。

技术领域

本发明涉及基板的研磨方法及用于研磨基板的研磨用组合物套组。本申请案主张基于2017年7月21日所申请的日本专利申请2017-141762号的优先权，该申请的全部内容援引入本说明书中以供参照。

背景技术

半导体制品的制造等所用的基板的表面一般经过摩擦工序(粗研磨工序)与抛光工序(精密研磨工序)而完工成高品质的镜面。上述抛光工序典型上包含预抛光工序(预研磨工序)与完工抛光工序(最终研磨工序)。作为硅晶圆等半导体基板的研磨相关的技术文献，可举出专利文献1～3。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利申请公开2003-257906号公报

专利文献2：日本专利申请公开2014-103398号公报

专利文献3：日本专利申请公开2001-239452号公报

发明内容

发明要解决的问题

近年来，对于硅晶圆等半导体基板及其他基板，逐渐要求比平坦度高且缺陷少更高品质的表面。因此，就作为最终研磨工序的前工序所进行的预研磨工序，也要求在研磨后为高平坦度且低表面缺陷者。依此，以改善研磨后的基板的平坦度或表面缺陷为目的，有人研究使预研磨用组合物含有水溶性高分子。然而，若使预研磨用组合物含有水溶性高分子，虽可改善研磨后的平坦度或表面缺陷，但因研磨速度降低，因而有研磨工序所需的时间(所需研磨时间)增长的问题。从而，要求一种在研磨后可有效达成高平坦度且低缺陷的表面的研磨方法。

因此，本发明的目的在于，提供一种可有效达成高平坦度且低缺陷的表面的基板研磨方法。相关的其他目的在于，提供一种可适宜地用于所述研磨方法的研磨用组合物套组。

用于解决问题的方案