[发明专利]碳纳米管复合物及其制造方法

权利要求书

1.一种碳纳米管复合物，其特征在于，包含碳纳米管和由下述式(1)或下述式(2)表示的导电性聚合物，

式中，R¹及R²各自独立，是碳原子数为4～24的烷基，n为3以上的整数，

式中，R¹及R²各自独立，是碳原子数为4～24的烷基，X为2价的芳香族基，n为3以上的整数，

所述碳纳米管的90质量％以上为半导体性碳纳米管。

2.根据权利要求1所述的碳纳米管复合物，其特征在于，所述导电性聚合物由下述式(3)表示，

式中，R¹及R²各自独立，是碳原子数4～24的烷基，n为3以上的整数。

3.根据权利要求1或2所述的碳纳米管复合物，其特征在于，所述碳纳米管的95质量％以上为半导体性碳纳米管。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的碳纳米管复合物，其特征在于，进一步包含p型掺杂剂或n型掺杂剂。

5.一种墨水，其特征在于，包含根据权利要求1～4中任一项所述碳纳米管复合物和溶剂。

6.一种碳纳米管复合物的制造方法，其特征在于，包含：

分散工序，使碳纳米管分散在包含由下述式(1)或下述式(2)表示的导电性聚合物的溶剂中；及

分离工序，将碳纳米管复合物从通过上述分散工序所得到的碳纳米管分散液中分离，其中所述碳纳米管复合物中的碳纳米管包含90质量％以上的半导体性碳纳米管，

式中，R¹及R²各自独立，是碳原子数为4～24的烷基，n为3以上的整数，

式中，R¹及R²各自独立，是碳原子数为4～24的烷基，X为2价的芳香族基，n为3以上的整数。

7.根据权利要求6所述的碳纳米管复合物的制造方法，其特征在于，

所述导电性聚合物由下述式(3)表示，

式中，R¹及R²各自独立，是碳原子数为4～24的烷基，n为3以上的整数。

8.根据权利要求6或7所述的碳纳米管复合物的制造方法，其特征在于，在所述分离工序中，将碳纳米管复合物分离，其中所述碳纳米管复合物中的碳纳米管包含95质量％以上的半导体性碳纳米管。

9.根据权利要求6～8中任1项所述的碳纳米管复合物的制造方法，其特征在于，包含使p型掺杂剂或n型掺杂剂与所述碳纳米管复合物接触的掺杂工序。