[发明专利]在PCM介质中实现LBA淘汰

说明书

根据本发明的各个方面，提供了一种用于在相变存储器(phase‑change memory，简称PCM)中写入和淘汰数据的方法和装置。在一个实施例中，将逻辑块地址(logical block address，简称LBA)淘汰候选(LBA eviction candidate，简称LEC)列表(100，400，956)存储在所述PCM介质(952)中。所述LEC列表(100，400，956)采用具有头端(110，410)和尾端(120，420)的循环队列，在所述头端(110，410)插入新的LBA。在一个实施例中，当需要从所述PCM介质(952)中淘汰数据时，将所述LEC列表(100，400，956)的所述尾端(120，420)的尾端LBA与所述LEC列表(100，400，956)上具有与所述尾端LBA序列号连续的写入序列号的所有后续LBA淘汰。

相关申请案交叉申请

本申请要求于2017年7月6日递交的发明名称为“在PCM介质中实现LBA淘汰”的第15/643,404号美国非临时专利申请案的在先申请优先权，该在先申请的内容以引入的方式并入本文。

背景技术

相变存储器(phase-change memory，简称PCM)是计算机随机存取存储器(computer random-access memory，简称RAM)的一种形式，它通过改变制造所述设备所用物质的状态来存储数据。在微观层面上，所述材料的结构可以在无定形和结晶之间快速来回变化。在所述无定形或无序相中，所述材料具有高电阻；在所述结晶或有序相中，其电阻下降。这可以打开和关闭电流，表示数字高低状态。

PCM技术有潜力提供低成本、高速、高密度、高容量的非易失性存储。例如，PCM有时被称为“完美RAM”(perfect RAM，简称PRAM)，因为数据被覆盖时可以不必先擦除。因此，PCM的运行速度能够比传统闪存快许多倍，同时功耗更低。此外，PCM芯片的使用时间预期可以数倍于现有的闪存芯片，而且可以证明以更低的成本进行批量生产。

发明内容

根据本发明的一方面，提供了一种用于在PCM介质中写入和淘汰数据的方法和装置。在一个实施例中，将逻辑块寻址(logical block addressing，简称LBA)淘汰候选(LBAeviction candidate，简称LEC)列表存储在所述PCM介质中。所述LEC列表采用具有头端和尾端的循环队列。在一个实施例中，在所述头端插入新的LBA。将淘汰所述LEC列表的所述尾端的尾端LBA，以响应确定需要从所述PCM介质中淘汰数据。发生这种情况时，确定所述LEC列表上是否存在具有与所述尾端LBA序列号连续的写入序列号的后续LBA。如果所述LEC列表上存在具有与所述尾端LBA序列号连续的写入序列号的后续LBA，则将所述LEC列表上具有与所述尾端LBA序列号连续的写入序列号的所有后续LBA与所述尾端LBA一起淘汰。

或者，在上述任一方面中，也可以将所述淘汰列表的所述头端和所述尾端缓存在静态随机存取存储器(static random access memory，简称SRAM)中，以进行快速访问。