[发明专利]确定周期性结构的边缘粗糙度参数有效
申请号: | 201880044452.6 | 申请日: | 2018-06-21 |
公开(公告)号: | CN110832401B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | T·J·克嫩;S·B·罗博尔;S·J·比杰尔斯马 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 胡良均 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 确定 周期性 结构 边缘 粗糙 参数 | ||
1.一种确定周期性结构的边缘粗糙度参数的方法,所述方法包括:
从由周期性结构散射的辐射束获得散射信号;和
基于非镜面衍射阶的围绕所述非镜面衍射阶的散射信号的分布来确定边缘粗糙度参数。
2.如权利要求1所述的方法,其中,确定边缘粗糙度参数的步骤包括将所述散射信号的分布与校准数据对比或与估计数据对比。
3.如权利要求1或2所述的方法,其中,确定边缘粗糙度参数包括基于所述散射信号的分布来确定边缘粗糙度参数的功率谱密度。
4.如权利要求1或2所述的方法,进一步包括基于所述周期性结构的被确定的边缘粗糙度参数确定临界尺寸均匀性值的步骤。
5.如权利要求1或2所述的方法,其中,确定边缘粗糙度参数是基于所述散射信号中的非镜面衍射阶的形状。
6.如权利要求1或2所述的方法,其中,确定边缘粗糙度参数是基于在垂直于与所述周期性结构的周期性相关联的方向的倒晶格空间方向上围绕非镜面衍射阶的所述散射信号的分布。
7.如权利要求6所述的方法,其中,确定边缘粗糙度参数是基于在垂直于与所述周期性结构的周期性相关联的所述方向的所述倒晶格空间方向上散射信号中的非镜面衍射阶的宽度。
8.如权利要求1或2所述的方法,其中,所述辐射束包括具有在1纳米至100纳米的范围内、可选地在5纳米至50纳米的范围内、或可选地在10纳米至20纳米的范围内的波长的辐射。
9.如权利要求1或2所述的方法,其中,所述辐射束包括具有为13.5纳米的波长的辐射。
10.如权利要求1或2所述的方法,其中,从入射到所述周期性结构上的非单色辐射束获得所述散射信号。
11.如权利要求10所述的方法,其中,所述非单色辐射束由高阶谐波产生源产生。
12.如权利要求10所述的方法,其中,入射到所述周期性结构上的非单色辐射束包括多个离散的波长。
13.如权利要求1或2所述的方法,其中,从以相对于包括所述周期性结构的衬底的垂直于其平面的轴线成小于70度的入射角入射到所述衬底上的辐射束获得所述散射信号。
14.如权利要求1或2所述的方法,其中,所述散射信号包括散射强度信号。
15.如权利要求1或2所述的方法,其中,获得散射信号包括侦测远场衍射图案的图像。
16.如权利要求1或2所述的方法,其中,所述周期性结构包括光栅。
17.如权利要求1或2所述的方法,其中,所述周期性结构包括在多于一个方向上呈周期性的结构。
18.如权利要求17所述的方法,包括基于以下各项确定边缘粗糙度参数:
针对所述周期性结构的第一周期性方向围绕第一非镜面衍射阶的所述散射信号的第一分布;和
针对所述周期性结构的第二周期性方向围绕第二非镜面衍射阶的所述散射信号的第二分布,所述第二非镜面衍射阶具有与所述第一非镜面衍射阶不同的指数。
19.如权利要求1或2所述的方法,其中,所述周期性结构包括被光刻图案化的层或堆叠。
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