[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置

权利要求书

1.一种选择性地蚀刻氮化硅膜的方法，所述方法具有以下工序：

第一工序，将具有所述氮化硅膜的被处理基板配置在处理空间中；

第二工序，向所述处理空间导入包含H和F的气体；以及，

第三工序，选择性地向所述处理空间导入非活性气体的自由基。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述被处理基板的处理期间多次重复所述第二工序和所述第三工序。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

包含所述H和F的气体为HF气体。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述第二工序之后和所述第三工序之后还具有吹扫所述处理空间的工序。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

通过对所述处理容器内抽真空来进行吹扫所述处理容器内的工序。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

通过向所述处理容器内导入非活性气体来进行吹扫所述处理容器内的工序。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

通过向所述处理容器内导入非活性气体和对所述处理容器内抽真空来进行吹扫所述处理容器内的工序。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

通过具有离子阱机构的分隔板来分隔处理容器，由此在所述分隔板的下部形成所述处理空间，在所述分隔板的上部形成等离子体生成空间，在所述处理空间中配置所述被处理基板，

向所述处理空间供给包含H和F的气体来实施所述第二工序，

在所述等离子体生成空间中生成非活性气体的等离子体，通过所述离子阱功能捕获该等离子体中的离子，并且将等离子体中的自由基导入所述处理空间，来实施所述第三工序。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

作为形成所述自由基的非活性气体，使用Ar气体、He气体、Kr气体、Ne气体以Xe气体中的任一种气体。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

将所述被处理基板的温度设为-15℃～35℃来进行所述第二工序和所述第三工序。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

将压力设为1.33Pa～200Pa的范围来进行所述第二工序。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

将压力设为1.33Pa～133Pa的范围来进行所述第三工序。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在重复所述第二工序和所述第三工序的中途和/或这些工序之后，进行一次或多次热处理，来去除蚀刻残渣和反应生成物。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述被处理基板中，从包括SiO₂膜、Si膜、SiGe膜、W膜、TiN膜、TaN膜的组中选择出的至少一种与氮化硅膜共存，相对于所述共存的膜选择性地蚀刻氮化硅膜。