[发明专利]三电平电压总线装置及方法

权利要求书

1.一种三电平电压总线装置，其特征在于，包括：

第一开关和第一电容器，串联在第一电压总线和第二电压总线之间；

第二电容器和第二开关，串联在所述第一电压总线与所述第二电压总线之间；以及

二极管，耦合在所述第一开关和所述第一电容器的公共节点与所述第二电容器和所述第二开关的公共节点之间；

其中，所述第二电容器用于与第一电源转换器连接；所述第一电容器用于与第二电源转换器连接；

当所述第一电压总线和所述第二电压总线的电压大于第一电压阈值时，所述第一开关和所述第二开关断开；以及

当所述第一电压总线和所述第二电压总线的电压小于第二电压阈值时，所述第一开关和所述第二开关闭合，其中，所述第一电压阈值大于所述第二电压阈值；

其中，当所述三电平电压总线装置的所述第一电压总线和所述第二电压总线的电压在所述第二电压阈值和所述第一电压阈值之间时，所述三电平电压总线装置被配置为工作在动态转移模式；在所述动态转移模式下，所述三电平电压总线装置在高输入电压模式和低输入电压模式之间来回切换；其中，在所述高输入电压模式下，所述第一开关和所述第二开关均断开；在所述低输入电压模式下，所述第一开关和所述第二开关均闭合。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：

负极温度系数设备，与所述二极管串联。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，

所述第一开关为第一MOSFET管；第二开关为第二MOSFET管。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，

所述第一MOSFET管的漏极与所述第一电压总线连接；

所述第一MOSFET管的源极与所述第一电容器连接；

所述第二MOSFET管的漏极与所述第二电容器连接；以及

所述第二MOSFET管的源极与所述第二电压总线连接。

5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，

所述第二电容器、所述二极管和所述第一电容器串联在所述第一电压总线和所述第二电压总线之间，

其中，所述二极管的阳极与所述第二电容器连接；所述二极管的阴极与所述第一电容器连接。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述二极管是在二极管仿真模式下工作的晶体管。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述第一电源转换器的第一输出端子与所述第二电源转换器的第一输出端子连接在一起，提供第一输出电压端口；所述第一电源转换器的第二输出端子与所述第二电源转换器的第二输出端子连接在一起，提供第二输出电压端口，其中，所述第一输出电压端口的电压大于所述第二输出电压端口的电压。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，

所述第一电源转换器为第一隔离电源转换器；所述第二电源转换器为第二隔离电源转换器。

9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，

所述第一电源转换器为第一隔离电源转换器；所述第二电源转换器为第二非隔离电源转换器。